压电复合薄膜及其制备方法和压电器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010722485.0

申请日：

2020-07-24

公开(公告)号：

CN111916556A

公开(公告)日：

2020-11-10

发明(设计)人：

李宋楚

申请人：

申请人地址：

330200 江西省南昌市高新技术产业开发区学院六路以东、天祥大道以南

IPC主分类号：

H01L4118

IPC分类号：

H01L41187 H01L41193 H01L4137

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

侯武娇

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-22	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 41/18 变更事项:申请人变更前:欧菲微电子技术有限公司变更后:江西欧迈斯微电子有限公司变更事项:地址变更前:330200 江西省南昌市高新技术产业开发区学院六路以东、天祥大道以南变更后:330096 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道699号
2020-11-10	公开	公开

共 50 条

[1]

压电复合材料、压电复合薄膜及其制备方法和压电器件 [P].

李宋楚 .

中国专利 :CN111755593A ,2020-10-09

[2]

压电复合材料、压电复合薄膜及其制备方法和压电器件 [P].

向远方 .

中国专利 :CN111697124A ,2020-09-22

[3]

压电复合材料、压电复合薄膜及其制备方法、应用和压电器件 [P].

李宋楚 .

中国专利 :CN111847985B ,2024-09-10

[4]

压电复合材料、压电复合薄膜及其制备方法、应用和压电器件 [P].

李宋楚 .

中国专利 :CN111847985A ,2020-10-30

[5]

压电复合薄膜及其制备方法 [P].

向远方 .

中国专利 :CN111916555B ,2025-09-09

[6]

压电复合薄膜及其制备方法 [P].

向远方 .

中国专利 :CN111916555A ,2020-11-10

[7]

压电复合薄膜及其制备方法 [P].

李真宇 ;

胡文 ;

张秀全 ;

罗具廷 .

中国专利 :CN110828653A ,2020-02-21

[8]

压电复合薄膜及其制备方法、以及压电传感器 [P].

向远方 .

中国专利 :CN112038482A ,2020-12-04

[9]

一种制备压电复合薄膜的方法及压电复合薄膜 [P].

胡卉 ;

李真宇 ;

朱厚彬 ;

张秀全 ;

薛海蛟 .

中国专利 :CN113540339B ,2024-07-12

[10]

一种制备压电复合薄膜的方法及压电复合薄膜 [P].

胡卉 ;

李真宇 ;

朱厚彬 ;

张秀全 ;

薛海蛟 .

中国专利 :CN113540339A ,2021-10-22

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