方钴矿热电化合物纳米粉体交叉共沉淀制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN200510019463.3
申请日
2005-09-21
公开(公告)号
CN1762834A
公开(公告)日
2006-04-26
发明(设计)人
唐新峰 褚颖 万玲 赵文俞 张清杰
申请人
申请人地址
430070湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
IPC主分类号
C01G5100
IPC分类号
代理机构
湖北武汉永嘉专利代理有限公司
代理人
李延瑾
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
非水共沉淀制备高纯纳米方钴矿热电化合物粉体的方法 [P]. 
唐新峰 ;
褚颖 ;
陈玉立 ;
徐源 ;
张清杰 .
中国专利 :CN101058442A ,2007-10-24
[2]
乙醇Sol-Gel法制备方钴矿热电化合物纳米粉体的方法 [P]. 
唐新峰 ;
褚颖 ;
朱新宏 ;
万玲 ;
赵文俞 ;
张清杰 .
中国专利 :CN1792821A ,2006-06-28
[3]
CoSb3热电化合物纳米粉体的制备方法 [P]. 
唐新峰 ;
徐源 ;
陈玉立 ;
张清杰 .
中国专利 :CN101327518A ,2008-12-24
[4]
一种纳米方钴矿化合物热电材料的制备方法 [P]. 
唐新峰 ;
余柏林 ;
祁琼 ;
宋波 ;
张清杰 .
中国专利 :CN1594623A ,2005-03-16
[5]
Bi2Te3热电化合物纳米粉体的制备方法 [P]. 
唐新峰 ;
郑艳丽 ;
柳伟 ;
张清杰 .
中国专利 :CN101327916A ,2008-12-24
[6]
Co-Sb系方钴矿化合物热电材料的制备方法 [P]. 
杨君友 ;
陈跃华 ;
彭江英 ;
朱文 ;
苏景芳 ;
宋新莉 ;
陈柔刚 ;
张同俊 .
中国专利 :CN1162561C ,2003-06-11
[7]
一种p型填充式方钴矿化合物热电材料的制备方法 [P]. 
唐新峰 ;
鄢永高 ;
李涵 ;
郭全胜 ;
谭刚健 ;
张清杰 .
中国专利 :CN101693962A ,2010-04-14
[8]
一种共沉淀法制备钇钆铕纳米粉体的方法 [P]. 
马伟民 ;
郭易芬 ;
闻雷 ;
沈世妃 ;
刘晶 ;
尹凯 ;
王华栋 .
中国专利 :CN101239398A ,2008-08-13
[9]
一种共沉淀法制备纳米粉体的装置 [P]. 
孙薪雯 ;
邹丹娜 ;
陈航宇 ;
王焕平 ;
徐时清 .
中国专利 :CN206597530U ,2017-10-31
[10]
用共沉淀法制备镁铝尖晶石纳米粉体 [P]. 
周有福 ;
洪茂椿 .
中国专利 :CN1634802A ,2005-07-06