一种硼掺杂硅基负极材料的制备方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110359202.5

申请日：

2021-04-02

公开(公告)号：

CN113130878B

公开(公告)日：

2021-07-16

发明(设计)人：

王慧奇王美卫彦宏李莹李海茹曹红红张锦芳张会念胡胜亮

申请人：

申请人地址：

030051 山西省太原市尖草坪区学院路3号

IPC主分类号：

H01M438

IPC分类号：

H01M436 H01M100525 H01M1042

代理机构：

太原倍智知识产权代理事务所(普通合伙) 14111

代理人：

张宏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-11	授权	授权
2021-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01M 4/38 申请日:20210402
2021-07-16	公开	公开

共 50 条

[1]

一种硼掺杂硅负极材料及其制备方法 [P].

张腾飞 ;

胡志雯 ;

吕蓥彤 ;

胡钊僮 ;

汪明 ;

黄涛 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN118867149A ,2024-10-29

[2]

一种高导电性氮掺杂硅基负极材料及其制备方法和应用 [P].

袁方利 ;

董元江 ;

金化成 ;

丁飞 ;

李保强 .

中国专利 :CN117410482A ,2024-01-16

[3]

一种硅基负极材料及其制备方法和应用 [P].

韩美胜 ;

于杰 ;

李振伟 .

中国专利 :CN113479890B ,2021-10-08

[4]

一种硼掺杂硅碳负极材料及其制备方法与应用 [P].

张辰 ;

王辉 ;

万文文 ;

姜福阳 .

中国专利 :CN119381428A ,2025-01-28

[5]

一种硼掺杂硅碳负极材料及其制备方法与应用 [P].

张辰 ;

王辉 ;

万文文 ;

姜福阳 .

中国专利 :CN119381428B ,2025-09-26

[6]

一种硅切割废料制备硅基负极材料的方法及应用 [P].

马文会 ;

王亮 ;

席风硕 ;

李绍元 ;

于洁 ;

陆继军 ;

魏奎先 ;

陈正杰 ;

伍继君 ;

万小涵 .

中国专利 :CN118380563A ,2024-07-23

[7]

一种硅基负极材料、制备方法及其应用 [P].

王秀田 ;

赵志刚 ;

杨玉梅 .

中国专利 :CN105702942A ,2016-06-22

[8]

一种硅基负极材料及其制备方法和应用 [P].

苏甜 ;

周经纬 ;

马勇 .

中国专利 :CN116344768B ,2025-08-19

[9]

一种硅基负极材料及其制备方法、电池、应用 [P].

姚佳伟 ;

李波 ;

马飞 ;

张健 ;

冯文乐 ;

宋健 .

中国专利 :CN117457882A ,2024-01-26

[10]

一种硅基负极材料及其制备方法和应用 [P].

王秀田 ;

曾绍忠 ;

赵志刚 ;

陈效华 .

中国专利 :CN104332594B ,2015-02-04

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