一种中空多孔管状结构的金纳米材料及其制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN200910019853.9
申请日
2009-03-18
公开(公告)号
CN101503766A
公开(公告)日
2009-08-12
发明(设计)人
丁轶 谷小虎
申请人
申请人地址
250100山东省济南市历下区山大南路27号
IPC主分类号
C22C108
IPC分类号
代理机构
济南金迪知识产权代理有限公司
代理人
程凌军
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
一种多孔管状中空结构的金纳米材料及其制备方法 [P]. 
丁轶 .
中国专利 :CN104874790A ,2015-09-02
[2]
一种多孔管状中空结构的金纳米材料及其制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN110355378A ,2019-10-22
[3]
一种中空多孔管状结构的金纳米材料及其制备方法 [P]. 
康翠萍 .
中国专利 :CN108941532A ,2018-12-07
[4]
管状结构的金纳米材料及其制备方法 [P]. 
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[5]
一种中空管状的CuS纳米材料及其制备方法 [P]. 
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魏云瑞 ;
何为东 ;
张东鑫 ;
尹江梅 .
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[6]
一种纳米多孔金材料及制备方法 [P]. 
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[7]
一种中空管状纳米材料及其制备方法与应用 [P]. 
何传新 ;
程众 ;
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杨恒攀 ;
柴晓燕 ;
张黔玲 ;
刘剑洪 .
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[8]
氢氧化金纳米球、多孔/空心金纳米材料及其制备方法 [P]. 
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中国专利 :CN104874814A ,2015-09-02
[9]
一种中空管状结构电极材料及其制备方法 [P]. 
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[10]
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孙一强 ;
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