改善单晶硅太阳能电池减反射膜特性的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910044001.5

申请日：

2009-07-29

公开(公告)号：

CN101707225A

公开(公告)日：

2010-05-12

发明(设计)人：

程远贵刘恺周小荣田杰成刘贤金汤辉

申请人：

申请人地址：

410111 湖南省长沙市天心区新开铺路1025号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

C23C1644

代理机构：

长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113

代理人：

马强

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-06-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101003503537 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2009100440015 申请日:20090729
2012-05-09	授权	授权
2010-05-12	公开	公开

共 50 条

[1]

提高单晶硅太阳能电池减反射膜质量的方法 [P].

唐景庭 ;

文超 ;

周波 ;

向小龙 .

中国专利 :CN100524847C ,2008-08-13

[2]

单晶硅太阳能电池用叠层减反射膜 [P].

程鹏飞 ;

黄仑 ;

龚双龙 ;

全余生 .

中国专利 :CN202004002U ,2011-10-05

[3]

单晶硅太阳能电池用叠层减反射膜 [P].

程鹏飞 ;

黄仑 ;

龚双龙 ;

全余生 .

中国专利 :CN102610663A ,2012-07-25

[4]

类单晶硅太阳能电池用叠层减反射膜 [P].

杨骞 ;

全余生 ;

龚双龙 ;

王金伟 ;

崔梅兰 .

中国专利 :CN202796967U ,2013-03-13

[5]

类单晶硅太阳能电池用叠层减反射膜 [P].

杨骞 ;

全余生 ;

龚双龙 ;

王金伟 ;

崔梅兰 .

中国专利 :CN102723378A ,2012-10-10

[6]

单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池 [P].

伊藤厚雄 ;

秋山昌次 ;

川合信 ;

田中好一 ;

飞坂优二 ;

久保田芳宏 .

中国专利 :CN101286537B ,2008-10-15

[7]

单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池 [P].

伊藤厚雄 ;

秋山昌次 ;

川合信 ;

田中好一 ;

飞坂优二 ;

久保田芳宏 .

中国专利 :CN101174658A ,2008-05-07

[8]

单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池 [P].

伊藤厚雄 ;

秋山昌次 ;

古屋昌浩 ;

川合信 ;

田中好一 ;

久保田芳宏 ;

飞坂优二 .

中国专利 :CN101174595B ,2008-05-07

[9]

单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池 [P].

伊藤厚雄 ;

秋山昌次 ;

川合信 ;

田中好一 ;

飞坂优二 ;

久保田芳宏 .

中国专利 :CN101174596A ,2008-05-07

[10]

单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池 [P].

伊藤厚雄 ;

秋山昌次 ;

川合信 ;

田中好一 ;

飞坂优二 ;

久保田芳宏 .

中国专利 :CN101262029A ,2008-09-10

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