高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620048776.5

申请日：

2016-01-19

公开(公告)号：

CN205528553U

公开(公告)日：

2016-08-31

发明(设计)人：

翁凌鞠培海刘立柱张笑瑞

申请人：

申请人地址：

150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号

IPC主分类号：

C08L2716

IPC分类号：

C08K700 C08K322 C08K308 C08J518

代理机构：

哈尔滨东方专利事务所 23118

代理人：

陈晓光

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C08L 27/16 申请日:20160119 授权公告日:20160831 终止日期:20190119
2016-08-31	授权	授权

共 50 条

[1]

高介电常数低介电损耗聚偏氟乙烯基复合薄膜及制备方法 [P].

翁凌 ;

鞠培海 ;

刘立柱 ;

张笑瑞 .

中国专利 :CN105235343A ,2016-01-13

[2]

一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜及其制备方法和应用 [P].

翁凌 ;

李雪 ;

王小明 .

中国专利 :CN113861596A ,2021-12-31

[3]

高介电常数低介电损耗聚偏二氟乙烯复合材料的制备方法 [P].

王勇 ;

黄婷 ;

徐宪玲 ;

杨静晖 ;

张楠 .

中国专利 :CN106751243A ,2017-05-31

[4]

高介电常数聚偏氟乙烯基复合材料的制备方法 [P].

迟庆国 ;

董久峰 ;

张昌海 ;

崔洋 ;

刘刚 ;

王暄 ;

雷清泉 .

中国专利 :CN105038044B ,2015-11-11

[5]

一种高介电常数的聚偏氟乙烯基复合材料的制备方法 [P].

王勇 ;

贺珍珍 ;

杨静晖 ;

崔国栋 ;

张楠 ;

黄婷 .

中国专利 :CN105838001B ,2016-08-10

[6]

一种高介电常数、低介电损耗复合薄膜的制备方法 [P].

牛文静 .

中国专利 :CN115368605A ,2022-11-22

[7]

一种高介电常数聚偏氟乙烯基复合材料的制备方法 [P].

李刚 ;

张小青 ;

李锦州 .

中国专利 :CN102174236B ,2011-09-07

[8]

高介电常数低介电损耗膜 [P].

毛立钧 ;

陈家华 .

中国专利 :CN1050462A ,1991-04-03

[9]

聚偏氟乙烯高介电膜 [P].

翁凌 ;

李红霞 ;

马成国 .

中国专利 :CN204303756U ,2015-04-29

[10]

一种高介电常数聚偏氟乙烯基复合材料及其制备方法 [P].

李刚 ;

李琳 .

中国专利 :CN102964754A ,2013-03-13

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