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MEMS型半导体式气体检测元件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201980030786.2
申请日
:
2019-08-02
公开(公告)号
:
CN112088305A
公开(公告)日
:
2020-12-15
发明(设计)人
:
三桥弘和
堂上长则
申请人
:
申请人地址
:
日本大阪府
IPC主分类号
:
G01N2712
IPC分类号
:
代理机构
:
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
:
唐峥
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-03-12
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/12 申请日:20190802
2020-12-15
公开
公开
共 50 条
[1]
MEMS型半导体式气体检测元件
[P].
三桥弘和
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
新宇宙电机株式会社
新宇宙电机株式会社
三桥弘和
;
堂上长则
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
新宇宙电机株式会社
新宇宙电机株式会社
堂上长则
.
日本专利
:CN112088305B
,2024-07-30
[2]
MEMS型半导体式气体传感器
[P].
谷口卓史
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
新宇宙电机株式会社
新宇宙电机株式会社
谷口卓史
;
三桥弘和
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
新宇宙电机株式会社
新宇宙电机株式会社
三桥弘和
;
折田泰志
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
新宇宙电机株式会社
新宇宙电机株式会社
折田泰志
;
北川靖久
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
新宇宙电机株式会社
新宇宙电机株式会社
北川靖久
;
角中垒
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
新宇宙电机株式会社
新宇宙电机株式会社
角中垒
.
日本专利
:CN120936870A
,2025-11-11
[3]
使用金属氧化物半导体气体传感器的气体检测装置和气体检测方法
[P].
井泽邦之
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
井泽邦之
.
中国专利
:CN112119298A
,2020-12-22
[4]
半导体元件
[P].
陈信良
论文数:
0
引用数:
0
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0
陈信良
;
陈永初
论文数:
0
引用数:
0
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0
陈永初
;
吴锡垣
论文数:
0
引用数:
0
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0
吴锡垣
.
中国专利
:CN105789267A
,2016-07-20
[5]
气体检测装置和气体检测方法
[P].
古冈谦一
论文数:
0
引用数:
0
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0
古冈谦一
;
大森亚希子
论文数:
0
引用数:
0
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0
大森亚希子
.
中国专利
:CN110178022B
,2019-08-27
[6]
气体检测装置和气体检测方法
[P].
佐井正和
论文数:
0
引用数:
0
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佐井正和
;
井泽邦之
论文数:
0
引用数:
0
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0
井泽邦之
;
河口智博
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
河口智博
.
中国专利
:CN112352152A
,2021-02-09
[7]
气体检测装置和气体检测方法
[P].
佐井正和
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
费加罗技研株式会社
费加罗技研株式会社
佐井正和
;
井泽邦之
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
费加罗技研株式会社
费加罗技研株式会社
井泽邦之
;
河口智博
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
费加罗技研株式会社
费加罗技研株式会社
河口智博
.
日本专利
:CN112352152B
,2024-09-03
[8]
半导体层叠体、半导体元件及半导体元件的制造方法
[P].
桥上洋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
信越化学工业株式会社
信越化学工业株式会社
桥上洋
.
日本专利
:CN116157550B
,2025-09-09
[9]
半导体元件
[P].
张耀文
论文数:
0
引用数:
0
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0
张耀文
;
卢道政
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
卢道政
.
中国专利
:CN1581487A
,2005-02-16
[10]
半导体元件
[P].
温文莹
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
温文莹
.
中国专利
:CN108257955B
,2018-07-06
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