MEMS型半导体式气体检测元件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201980030786.2
申请日
2019-08-02
公开(公告)号
CN112088305A
公开(公告)日
2020-12-15
发明(设计)人
三桥弘和 堂上长则
申请人
申请人地址
日本大阪府
IPC主分类号
G01N2712
IPC分类号
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
唐峥
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
MEMS型半导体式气体检测元件 [P]. 
三桥弘和 ;
堂上长则 .
日本专利 :CN112088305B ,2024-07-30
[2]
MEMS型半导体式气体传感器 [P]. 
谷口卓史 ;
三桥弘和 ;
折田泰志 ;
北川靖久 ;
角中垒 .
日本专利 :CN120936870A ,2025-11-11
[3]
使用金属氧化物半导体气体传感器的气体检测装置和气体检测方法 [P]. 
井泽邦之 .
中国专利 :CN112119298A ,2020-12-22
[4]
半导体元件 [P]. 
陈信良 ;
陈永初 ;
吴锡垣 .
中国专利 :CN105789267A ,2016-07-20
[5]
气体检测装置和气体检测方法 [P]. 
古冈谦一 ;
大森亚希子 .
中国专利 :CN110178022B ,2019-08-27
[6]
气体检测装置和气体检测方法 [P]. 
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井泽邦之 ;
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中国专利 :CN112352152A ,2021-02-09
[7]
气体检测装置和气体检测方法 [P]. 
佐井正和 ;
井泽邦之 ;
河口智博 .
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[8]
半导体层叠体、半导体元件及半导体元件的制造方法 [P]. 
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[9]
半导体元件 [P]. 
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卢道政 .
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[10]
半导体元件 [P]. 
温文莹 .
中国专利 :CN108257955B ,2018-07-06