量子点固态膜及其制备方法、QLED器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710623299.X
申请日
2017-07-27
公开(公告)号
CN109309164A
公开(公告)日
2019-02-05
发明(设计)人
程陆玲 杨一行
申请人
申请人地址
516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
IPC主分类号
H01L5150
IPC分类号
H01L5156
代理机构
深圳中一专利商标事务所 44237
代理人
黄志云
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种量子点固态膜及其制备方法与QLED器件 [P]. 
程陆玲 ;
杨一行 .
中国专利 :CN106753332A ,2017-05-31
[2]
量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法 [P]. 
曹蔚然 ;
杨一行 ;
向超宇 ;
钱磊 ;
梁柱荣 .
中国专利 :CN109935709A ,2019-06-25
[3]
量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法 [P]. 
曹蔚然 ;
杨一行 ;
向超宇 ;
钱磊 ;
梁柱荣 .
中国专利 :CN109935665B ,2019-06-25
[4]
量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法 [P]. 
曹蔚然 ;
杨一行 ;
向超宇 ;
钱磊 ;
梁柱荣 .
中国专利 :CN109935736A ,2019-06-25
[5]
量子点和QLED器件的制备方法、QLED器件 [P]. 
梁凯旋 ;
姚琪 .
中国专利 :CN112436099A ,2021-03-02
[6]
表面配体、量子点薄膜、QLED器件及其制备方法 [P]. 
曹蔚然 ;
梁柱荣 ;
杨一行 ;
向超宇 ;
钱磊 .
中国专利 :CN109935670B ,2019-06-25
[7]
量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法 [P]. 
曹蔚然 ;
梁柱荣 ;
杨一行 ;
向超宇 ;
钱磊 .
中国专利 :CN109935713A ,2019-06-25
[8]
量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法 [P]. 
曹蔚然 ;
梁柱荣 ;
杨一行 ;
向超宇 ;
钱磊 .
中国专利 :CN109935737A ,2019-06-25
[9]
量子点薄膜及其制备方法、QLED器件及其制备方法 [P]. 
曹蔚然 ;
梁柱荣 ;
杨一行 ;
向超宇 ;
钱磊 .
中国专利 :CN109935719A ,2019-06-25
[10]
量子点薄膜及其制备方法和QLED器件 [P]. 
程陆玲 ;
杨一行 .
中国专利 :CN109994619A ,2019-07-09