垂直腔面发射激光器的制造方法及垂直腔面发射激光器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010499463.2

申请日：

2020-06-05

公开(公告)号：

CN111600200A

公开(公告)日：

2020-08-28

发明(设计)人：

范谦倪贤锋华斌崔莹

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区11幢303室

IPC主分类号：

H01S5183

IPC分类号：

H01S5187 H01S530

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-07	授权	授权
2020-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/183 申请日:20200605
2020-08-28	公开	公开
2022-07-05	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01S 5/183 变更事项:专利权人变更前:苏州汉骅半导体有限公司变更后:苏州汉骅半导体有限公司变更事项:地址变更前:215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区11幢303室变更后:215127 江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区长阳街259号钟园工业坊B0-1F西侧

共 50 条

[1]

垂直腔面发射激光器制造方法及垂直腔面发射激光器 [P].

李加伟 ;

唐家乐 .

中国专利 :CN114678768A ,2022-06-28

[2]

垂直腔面发射激光器制造方法及垂直腔面发射激光器 [P].

李加伟 ;

赖铭智 .

中国专利 :CN114927938A ,2022-08-19

[3]

垂直腔面发射激光器及制造垂直腔面发射激光器的方法 [P].

藤井慧 ;

住友隆道 ;

有方卓 .

中国专利 :CN110875573A ,2020-03-10

[4]

垂直腔面发射激光器及制造垂直腔面发射激光器的方法 [P].

藤井慧 ;

住友隆道 ;

有方卓 .

日本专利 :CN110875573B ,2024-06-14

[5]

垂直腔面发射激光器的制备方法及垂直腔面发射激光器 [P].

李敏 ;

吴昌翰 ;

王冲 .

中国专利 :CN117498152A ,2024-02-02

[6]

制作垂直腔面发射激光器的方法及垂直腔面发射激光器 [P].

王璐 ;

王珈 .

中国专利 :CN111384666A ,2020-07-07

[7]

垂直腔面发射激光器以及垂直腔面发射激光器的制造方法 [P].

井上大辅 ;

藤田朗人 .

中国专利 :CN115642478A ,2023-01-24

[8]

垂直腔面发射激光器制备方法及垂直腔面发射激光器 [P].

李加伟 ;

严磊 ;

李国庆 .

中国专利 :CN113922209A ,2022-01-11

[9]

垂直腔面发射激光器制备方法及垂直腔面发射激光器 [P].

向宇 ;

赖铭智 ;

高逸群 ;

岳光礼 ;

许聪基 .

中国专利 :CN113809636A ,2021-12-17

[10]

垂直腔面发射激光器制备方法及垂直腔面发射激光器 [P].

曼玉选 ;

赖铭智 ;

郭海侠 .

中国专利 :CN113809635B ,2021-12-17

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