沟槽的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210261904.0

申请日：

2012-07-26

公开(公告)号：

CN102751186A

公开(公告)日：

2012-10-24

发明(设计)人：

肖培奚裴

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号

IPC主分类号：

H01L21308

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-04	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101701323799 IPC(主分类):H01L 21/308 专利申请号:2012102619040 变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140506
2017-09-15	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101759156543 IPC(主分类):H01L 21/308 专利申请号:2012102619040 申请公布日:20121024
2014-11-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101588045955 IPC(主分类):H01L 21/308 专利申请号:2012102619040 申请日:20120726
2012-10-24	公开	公开

共 50 条

[1]

沟槽制作方法 [P].

虞肖鹏 ;

张复雄 ;

季华 .

中国专利 :CN101206994A ,2008-06-25

[2]

沟槽器件的制作方法 [P].

杨彦涛 ;

杨富宝 ;

赵金波 ;

王珏 ;

汤光洪 .

中国专利 :CN104409349B ,2015-03-11

[3]

浅沟槽隔离结构的制作方法 [P].

邓永平 ;

何学缅 ;

任红茹 ;

樊强 .

中国专利 :CN101887866A ,2010-11-17

[4]

浅沟槽隔离结构的制作方法和NAND闪存的制作方法 [P].

张翼英 ;

王冬江 .

中国专利 :CN104217986A ,2014-12-17

[5]

浅沟槽制作方法 [P].

周鸣 ;

沈满华 .

中国专利 :CN101587835A ,2009-11-25

[6]

沟槽功率器件及其制作方法 [P].

刘宪周 .

中国专利 :CN103871840A ,2014-06-18

[7]

浅沟槽隔离的制作方法 [P].

陈碧钦 ;

宋化龙 ;

沈忆华 .

中国专利 :CN102222636B ,2011-10-19

[8]

沟槽功率器件的制作方法 [P].

沈思杰 ;

张怡 .

中国专利 :CN103021869A ,2013-04-03

[9]

沟槽MOSFET及其制作方法 [P].

童亮 .

中国专利 :CN103887342A ,2014-06-25

[10]

浅沟槽结构制作方法 [P].

韩秋华 ;

杜珊珊 ;

黄怡 ;

赵林林 .

中国专利 :CN101740458A ,2010-06-16

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