一种超耐候光伏组件用聚偏氟乙烯薄膜

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201811513024.1
申请日
2018-12-11
公开(公告)号
CN109666248A
公开(公告)日
2019-04-23
发明(设计)人
孙彦 王秋波
申请人
申请人地址
223001 江苏省淮安市金湖经济开发区神华大道284号
IPC主分类号
C08L2716
IPC分类号
C08L3312 C08K322 C08K5372 C08K5524 C08J518
代理机构
苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251
代理人
王鑫
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种超耐候光伏组件用聚偏氟乙烯薄膜的制备方法 [P]. 
孙彦 ;
王秋波 .
中国专利 :CN109760282A ,2019-05-17
[2]
一种聚偏氟乙烯薄膜 [P]. 
李华 .
中国专利 :CN102642358B ,2012-08-22
[3]
一种聚偏氟乙烯薄膜 [P]. 
李峰 ;
甄万清 ;
高霜翡 .
中国专利 :CN206553441U ,2017-10-13
[4]
一种白色聚偏氟乙烯流涎薄膜专用料 [P]. 
郑泓 .
中国专利 :CN106009427A ,2016-10-12
[5]
聚偏氟乙烯薄膜组合物及聚偏氟乙烯隔离膜 [P]. 
张书哝 ;
朱文彬 .
中国专利 :CN114230824B ,2024-02-06
[6]
聚偏氟乙烯薄膜组合物及聚偏氟乙烯隔离膜 [P]. 
张书哝 ;
朱文彬 .
中国专利 :CN114230824A ,2022-03-25
[7]
一种聚偏氟乙烯薄膜及其制备方法 [P]. 
李峰 .
中国专利 :CN109206801A ,2019-01-15
[8]
聚偏氟乙烯薄膜用料 [P]. 
黄欢 ;
李建 ;
石娜 ;
赵勇刚 .
中国专利 :CN107365465A ,2017-11-21
[9]
一种超耐低温耐紫外透明聚偏氟乙烯薄膜及其制备方法 [P]. 
聂福 ;
费海林 ;
王仁思 ;
杨鸿程 .
中国专利 :CN116948238B ,2024-01-30
[10]
聚偏氟乙烯薄膜的制备方法 [P]. 
孙晓丽 ;
米策 ;
闫寿科 ;
李慧慧 ;
任忠杰 .
中国专利 :CN112745519B ,2021-05-04