制备Mn掺杂InP：Zn基稀磁半导体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110057072.6

申请日：

2011-03-10

公开(公告)号：

CN102108483A

公开(公告)日：

2011-06-29

发明(设计)人：

杨冠东朱峰李京波

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

C23C1416

IPC分类号：

C23C1458 H01F140

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汤保平

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-21	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101467150754 IPC(主分类):C23C 14/16 专利申请号:2011100570726 申请公布日:20110629
2011-06-29	公开	公开
2011-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101096111027 IPC(主分类):C23C 14/16 专利申请号:2011100570726 申请日:20110310

共 50 条

[1]

Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法 [P].

赵婧 ;

刘喆 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN102351229A ,2012-02-15

[2]

Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法 [P].

赵婧 ;

刘喆 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN102351236A ,2012-02-15

[3]

一种Mn掺杂ZnO稀磁半导体薄膜的制备方法 [P].

刘风光 ;

吴鹏 ;

洪宾 ;

赵巍胜 .

中国专利 :CN113308669A ,2021-08-27

[4]

一种Mn掺杂SnO2室温稀磁半导体纳米粉的制备方法 [P].

袁松柳 ;

田召明 ;

王永强 ;

何惊华 .

中国专利 :CN101219478A ,2008-07-16

[5]

制备GaN基稀磁半导体材料的方法 [P].

张国义 ;

陈志涛 ;

苏月永 ;

杨志坚 ;

杨学林 ;

沈波 .

中国专利 :CN1822320A ,2006-08-23

[6]

p型掺杂ZnO基稀磁半导体材料及制备方法 [P].

严密 ;

顾浩 ;

马天宇 ;

罗伟 .

中国专利 :CN101183595B ,2008-05-21

[7]

制备Y掺杂Ag2S稀磁半导体纳米颗粒的方法 [P].

张明喆 ;

王盼 ;

杨鹤 .

中国专利 :CN103265063A ,2013-08-28

[8]

一种Mn掺杂AlN稀磁半导体纳米棒阵列的制备方法 [P].

吴荣 ;

娄阳 ;

姜楠楠 ;

任银拴 ;

简基康 ;

李强 ;

李锦 ;

孙言飞 .

中国专利 :CN102304699A ,2012-01-04

[9]

一种Mg掺杂AlN基稀磁半导体薄膜的制备方法 [P].

熊娟 ;

顾豪爽 ;

杨洋 ;

郭飞 .

中国专利 :CN103334083A ,2013-10-02

[10]

氧掺杂六方氮化硼稀磁半导体纳米材料的制备方法 [P].

张明喆 ;

芦庆 .

中国专利 :CN108275662A ,2018-07-13

← 1 2 3 4 5 →