存储器写入错误校正电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110367818.3

申请日：

2011-11-18

公开(公告)号：

CN102467976B

公开(公告)日：

2012-05-23

发明(设计)人：

A.E.翁格 V.尼基汀

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

G11C2944

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

邵亚丽

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-18	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101732411076 IPC(主分类):G11C 29/44 专利申请号:2011103678183 登记生效日:20160426 变更事项:申请人变更前权利人:格兰迪斯股份有限公司变更后权利人:三星半导体股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:美国加利福尼亚州
2013-12-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101549321852 IPC(主分类):G11C 29/44 专利申请号:2011103678183 申请日:20111118
2017-08-04	授权	授权
2012-05-23	公开	公开

共 50 条

[1]

错误校正电路及包括错误校正电路的存储器系统 [P].

金大成 ;

金光铉 .

中国专利 :CN110391816B ,2019-10-29

[2]

错误校正电路、存储器控制器及存储器系统 [P].

金大成 ;

金光铉 .

中国专利 :CN111048140A ,2020-04-21

[3]

错误校正电路和具有错误校正电路的存储器控制器 [P].

金大成 ;

金壮燮 .

中国专利 :CN111833956A ,2020-10-27

[4]

错误校正电路、具有其的存储器控制器以及具有存储器控制器的存储器系统 [P].

金大成 ;

金光铉 .

中国专利 :CN112306735A ,2021-02-02

[5]

错误校正电路 [P].

吉田英夫 ;

小林庆男 ;

池谷豊 ;

上條光宏 ;

河端尔 .

中国专利 :CN1040698A ,1990-03-21

[6]

包括错误校正电路的半导体存储器设备 [P].

姜奎彰 ;

徐宁焄 .

韩国专利 :CN120783841A ,2025-10-14

[7]

存储器电路和写入存储器单元的方法 [P].

魏焕昇 ;

沈泽民 ;

吴志强 .

中国专利 :CN113380289A ,2021-09-10

[8]

存储器电路和写入存储器单元的方法 [P].

魏焕昇 ;

沈泽民 ;

吴志强 .

中国专利 :CN113380289B ,2024-04-05

[9]

错误校正电路及包括其的半导体存储器件 [P].

车载元 ;

朴宰佑 .

中国专利 :CN106067326B ,2016-11-02

[10]

错误校正电路及操作该错误校正电路的方法 [P].

金敬范 .

中国专利 :CN110415753A ,2019-11-05

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