单晶铜箔及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910598448.0

申请日：

2019-07-04

公开(公告)号：

CN110195251A

公开(公告)日：

2019-09-03

发明(设计)人：

刘忠范彭海琳李广亮张金灿刘晓婷张月新

申请人：

申请人地址：

100095 北京市海淀区苏家坨镇翠湖南路13号院中关村翠湖科技园2号楼

IPC主分类号：

C30B110

IPC分类号：

C30B2902

代理机构：

北京律智知识产权代理有限公司 11438

代理人：

司丽琦;于宝庆

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-03	公开	公开
2019-09-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 1/10 申请日:20190704

共 50 条

[1]

一种快速制备(111)取向单晶铜箔的方法 [P].

马俊良 ;

汪伟 ;

刘兆平 .

中国专利 :CN117888194A ,2024-04-16

[2]

一种大尺寸单晶铜箔及其制备方法和应用 [P].

杨雨佳 ;

原蔼恒 ;

孙禄钊 ;

贾航 ;

尚龙 ;

刘鹏飞 ;

赵廷奉 ;

魏爱琳 ;

边鹏博 ;

王岚昌 ;

李尔东 ;

宋晓峰 .

中国专利 :CN120575319A ,2025-09-02

[3]

一种制备单晶铜箔的方法 [P].

刘忠范 ;

彭海琳 ;

张金灿 ;

刘晓婷 ;

张月新 ;

李广亮 .

中国专利 :CN112301411A ,2021-02-02

[4]

一种单晶铜箔的制备方法 [P].

刘忠范 ;

彭海琳 ;

李杨立志 ;

孙禄钊 ;

刘海洋 ;

王悦晨 .

中国专利 :CN110438556B ,2019-11-12

[5]

大尺寸Cu(111)单晶铜箔和超大尺寸单晶石墨烯的制备方法 [P].

徐小志 ;

张智宏 ;

刘开辉 .

中国专利 :CN105603514B ,2016-05-25

[6]

大尺寸Cu(100)单晶铜箔的制备方法 [P].

张智宏 ;

徐小志 ;

刘开辉 .

中国专利 :CN105714382B ,2016-06-29

[7]

单晶石墨烯及其制备方法 [P].

刘忠范 ;

刘海洋 ;

孙禄钊 ;

孙晓莉 ;

强佳伟 .

中国专利 :CN117328140A ,2024-01-02

[8]

一种基于多晶铜箔的毫米级单层单晶石墨烯的制备方法 [P].

窦卫东 ;

曹巧君 ;

施碧云 ;

裘剑锋 .

中国专利 :CN108423659B ,2018-08-21

[9]

控制晶面暴露取向的单晶铜箔的制备方法 [P].

彭海琳 ;

杨皓 ;

邓兵 ;

郑黎明 .

中国专利 :CN109537043B ,2019-03-29

[10]

一种廉价、简易制备单晶铜箔的方法 [P].

张勤芳 ;

霍占跃 .

中国专利 :CN119507019A ,2025-02-25

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