一种纳米晶BST薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910216407.7

申请日：

2009-11-27

公开(公告)号：

CN101708990A

公开(公告)日：

2010-05-19

发明(设计)人：

廖家轩贾宇明魏雄邦田忠傅向军张佳

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

IPC主分类号：

C04B35622

IPC分类号：

C04B35468 C04B3547

代理机构：

电子科技大学专利中心 51203

代理人：

葛启函

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101643311860 IPC(主分类):B32B 9/04 专利号:ZL2009102164077 申请日:20091127 授权公告日:20120808 终止日期:20141127
2010-07-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101003680297 IPC(主分类):C04B 35/622 专利申请号:2009102164077 申请日:20091127
2012-08-08	授权	授权
2010-05-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种二元交替掺杂BST薄膜的制备方法 [P].

廖家轩 ;

贾宇明 ;

魏雄邦 ;

田忠 ;

傅向军 ;

张佳 .

中国专利 :CN101716838A ,2010-06-02

[2]

BST/BMN/BST多层复合薄膜的制备方法 [P].

李玲霞 ;

董和磊 ;

于仕辉 ;

金雨馨 ;

许丹 .

中国专利 :CN104029432A ,2014-09-10

[3]

一种二元梯度掺杂BST薄膜的制备方法 [P].

廖家轩 ;

尉旭波 ;

徐自强 ;

汪澎 ;

魏雄邦 .

中国专利 :CN102173783A ,2011-09-07

[4]

基于梯度预晶化热处理的多层BST薄膜制备方法 [P].

廖家轩 ;

张未芳 ;

黄家奇 ;

徐自强 ;

尉旭波 ;

汪澎 .

中国专利 :CN103879083B ,2014-06-25

[5]

一种具有SiN缓冲层的BST薄膜材料及其制备方法 [P].

蒋书文 ;

熊年登 ;

李言荣 ;

姜斌 .

中国专利 :CN101478065A ,2009-07-08

[6]

一种铈掺杂钛酸锶钡薄膜的制备方法 [P].

廖家轩 ;

李嶷云 ;

张高俊 ;

黄家奇 ;

张未芳 ;

徐自强 ;

尉旭波 ;

汪澎 .

中国专利 :CN103880414B ,2014-06-25

[7]

一种金属纳米晶薄膜的制备方法 [P].

龙世兵 ;

李志刚 ;

刘明 ;

陈宝钦 .

中国专利 :CN100500924C ,2008-02-13

[8]

一种SnS纳米晶薄膜的制备方法 [P].

靳正国 ;

任莉 .

中国专利 :CN102503161A ,2012-06-20

[9]

一种制备硅纳米晶薄膜的方法 [P].

陈晨 ;

贾锐 ;

李维龙 ;

刘明 ;

陈宝钦 ;

龙世兵 ;

谢常青 ;

涂德钰 ;

刘琦 .

中国专利 :CN101457346A ,2009-06-17

[10]

一种NiO纳米晶电致变色薄膜的制备方法 [P].

刘晶冰 ;

张欣 ;

郑义 ;

汪浩 ;

孙德龙 ;

张永哲 ;

严辉 ;

朱满康 .

中国专利 :CN105293950A ,2016-02-03

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