学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

抗多节点翻转SRAM的存储单元

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110106525.3
申请日：
2021-01-27
公开(公告)号：
CN112634956A
公开(公告)日：
2021-04-09
发明(设计)人：
程旭 韩源源 韩军 曾晓洋
申请人：
申请人地址：
200433 上海市杨浦区邯郸路220号
IPC主分类号：
G11C1141
IPC分类号：
代理机构：
上海正旦专利代理有限公司 31200
代理人：
陆飞;陆尤
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-04-27 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/41 申请日:20210127
2021-04-09 公开 公开
共 50 条
[1]
抗多节点翻转的存储单元 [P]. 
肖立伊 ;
齐春华 ;
李安龙 ;
王天琦 ;
柳姗姗 .
中国专利 :CN105448327A ,2016-03-30
[2]
一种抗单粒子多节点翻转的近阈值SRAM存储单元 [P]. 
齐春华 ;
张延清 ;
王天琦 ;
刘超铭 ;
马国亮 ;
霍明学 ;
肖立伊 .
中国专利 :CN109658962A ,2019-04-19
[3]
具有堆叠结构的抗多节点翻转的存储单元 [P]. 
黄正峰 ;
李雪健 ;
吴明 ;
鲁迎春 ;
倪天明 ;
梁华国 ;
易茂祥 ;
欧阳一鸣 .
中国专利 :CN108133727A ,2018-06-08
[4]
容双节点翻转的SRAM存储单元 [P]. 
刘中阳 ;
肖军 .
中国专利 :CN113593621A ,2021-11-02
[5]
抗多节点辐照干扰SRAM存储单元电路及其控制方法和应用 [P]. 
刘世伯 ;
冀力强 ;
李达 ;
陈培锋 .
中国专利 :CN121034368A ,2025-11-28
[6]
一种抗多节点翻转的130nmSOI工艺SRAM存储单元电路及其版图结构 [P]. 
赵晓冬 ;
张洵颖 ;
崔媛媛 ;
张海金 ;
杨帆 .
中国专利 :CN119380780B ,2025-03-25
[7]
一种抗多节点翻转的130nmSOI工艺SRAM存储单元电路及其版图结构 [P]. 
赵晓冬 ;
张洵颖 ;
崔媛媛 ;
张海金 ;
杨帆 .
中国专利 :CN119380780A ,2025-01-28
[8]
抗软错误的SRAM存储单元 [P]. 
刘中阳 ;
肖军 .
中国专利 :CN113593620A ,2021-11-02
[9]
具有抗单粒子翻转功能的SRAM存储单元及存储器 [P]. 
杨海钢 ;
李天文 ;
蔡刚 .
中国专利 :CN106158010B ,2016-11-23
[10]
SRAM存储单元 [P]. 
蒋建伟 .
中国专利 :CN111415691A ,2020-07-14
12345