基板处理装置、半导体器件的制造方法、基板处理方法以及记录介质

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110994141.X

申请日：

2021-08-27

公开(公告)号：

CN114203579A

公开(公告)日：

2022-03-18

发明(设计)人：

竹林基成中条博史

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

C23C16455 C23C1652

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

陈伟;闫剑平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-18	公开	公开
2022-04-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/67 申请日:20210827

共 50 条

[1]

基板处理方法、半导体器件的制造方法、基板处理装置及记录介质 [P].

野野村一树 .

日本专利 :CN120637201A ,2025-09-12

[2]

基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质 [P].

西田圭吾 ;

林孝徳 ;

石坂光范 .

日本专利 :CN118692944A ,2024-09-24

[3]

基板处理装置、半导体器件的制造方法以及基板处理方法 [P].

大桥直史 ;

竹田刚 ;

吉野晃生 .

日本专利 :CN118020145A ,2024-05-10

[4]

基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质 [P].

伊藤刚 ;

中田高行 .

中国专利 :CN110047791A ,2019-07-23

[5]

基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质 [P].

高野智 ;

松井俊 .

中国专利 :CN113436985A ,2021-09-24

[6]

基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质 [P].

大桥直史 ;

天野富大 ;

宫田智之 .

日本专利 :CN117497445A ,2024-02-02

[7]

基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质 [P].

竹岛雄一郎 ;

中山雅则 ;

坪田康寿 ;

井川博登 ;

山角宥贵 ;

岸本宗树 .

日本专利 :CN118352257A ,2024-07-16

[8]

基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质 [P].

中谷一夫 ;

安藤文恵 ;

西浦进 ;

越湖裕 .

日本专利 :CN114270490B ,2024-12-17

[9]

基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质 [P].

高野智 ;

松井俊 .

日本专利 :CN113436985B ,2024-01-16

[10]

基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质 [P].

白子贤治 ;

谷山智志 .

日本专利 :CN113508455B ,2024-03-26

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