磁性元素掺杂CdS纳米棒的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010580798.3

申请日：

2010-12-09

公开(公告)号：

CN101994156A

公开(公告)日：

2011-03-30

发明(设计)人：

李志国蔡伟李晓丽

申请人：

申请人地址：

150040 黑龙江省哈尔滨市香坊区和兴路26号

IPC主分类号：

C30B2950

IPC分类号：

代理机构：

哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109

代理人：

何强

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101597013864 IPC(主分类):C30B 29/50 专利号:ZL2010105807983 申请日:20101209 授权公告日:20121010 终止日期:20131209
2011-03-30	公开	公开
2011-05-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101071488503 IPC(主分类):C30B 29/50 专利申请号:2010105807983 申请日:20101209
2012-10-10	授权	授权

共 50 条

[1]

CdS纳米棒薄膜的制备方法 [P].

黄敏艳 .

中国专利 :CN109133155A ,2019-01-04

[2]

一种CdS纳米棒的制备方法 [P].

黄敏艳 .

中国专利 :CN109133156A ,2019-01-04

[3]

SiO2纳米棒/CdS的制备方法 [P].

李霞章 ;

胡宗林 ;

孟英芹 ;

陆晓旺 ;

赵晓兵 ;

姚超 ;

陈志刚 .

中国专利 :CN103241766A ,2013-08-14

[4]

一种基于CdS纳米棒纳米光电器件的制备方法 [P].

李培刚 ;

宋佳 ;

钟丹霞 ;

王顺利 ;

汪鹏超 ;

朱志艳 ;

沈静琴 .

中国专利 :CN104409558A ,2015-03-11

[5]

磁性纳米棒的制备方法及其应用 [P].

肖得力 ;

德拉姆皮埃尔 ;

杨淑英 ;

叶澳丽 ;

张雅洁 ;

何福生 .

中国专利 :CN119281303A ,2025-01-10

[6]

一种晶格内部掺杂钴离子的CdS量子点及其制备方法 [P].

蔡伟 ;

李志国 .

中国专利 :CN101074369B ,2007-11-21

[7]

单/多元素掺杂钛酸钠纳米棒阵列涂层的制备工艺 [P].

憨勇 ;

余冬梅 .

中国专利 :CN109568655B ,2019-04-05

[8]

钇掺杂氧化镝纳米棒的制备方法 [P].

郭俐聪 ;

边文娟 .

中国专利 :CN105800666A ,2016-07-27

[9]

一种CdSe/CdS纳米棒、偏振薄膜及其制备方法 [P].

覃辉军 ;

刘政 ;

杨一行 .

中国专利 :CN106353847A ,2017-01-25

[10]

过渡金属盐掺杂制备磁性氧化锌纳米棒阵列薄膜的方法 [P].

黄忠兵 ;

杨梅 ;

尹光福 ;

廖晓明 ;

姚亚东 ;

康云清 .

中国专利 :CN101045991A ,2007-10-03

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