CIS器件的深沟槽隔离形成方法、半导体器件结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110075783.X

申请日：

2021-01-20

公开(公告)号：

CN112928058B

公开(公告)日：

2021-06-08

发明(设计)人：

李佳龙黄鹏范晓钱文生

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L27146

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

罗雅文

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-08	公开	公开
2022-08-16	授权	授权
2021-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20210120

共 50 条

[1]

图像传感器的深沟槽隔离形成方法、半导体器件结构 [P].

李佳龙 ;

黄鹏 ;

范晓 ;

钱文生 ;

房子荃 .

中国专利 :CN112736103B ,2021-04-30

[2]

用于CIS器件的隔离区形成方法、半导体器件结构 [P].

邱元元 ;

郭振强 ;

黄鹏 ;

范晓 .

中国专利 :CN112670234A ,2021-04-16

[3]

用于深沟槽隔离的对准标记形成方法、半导体器件结构 [P].

赵德鹏 ;

李佳龙 ;

黄鹏 ;

范晓 .

中国专利 :CN112992773B ,2021-06-18

[4]

深沟槽隔离结构的形成方法及半导体器件的形成方法 [P].

刘张李 ;

蒙飞 ;

刘宪周 .

中国专利 :CN111883476A ,2020-11-03

[5]

深沟槽隔离结构的形成方法及半导体器件的形成方法 [P].

刘张李 ;

蒙飞 ;

刘宪周 .

中国专利 :CN112750752A ,2021-05-04

[6]

半导体器件的形成方法及半导体器件 [P].

张海洋 ;

陈海华 ;

马擎天 .

中国专利 :CN101202232B ,2008-06-18

[7]

浅沟槽隔离结构和半导体器件的形成方法 [P].

姜春磊 .

中国专利 :CN120221497A ,2025-06-27

[8]

深沟槽隔离结构的制备方法、结构和半导体器件 [P].

吴淑珍 ;

郝占阳 .

中国专利 :CN121215605A ,2025-12-26

[9]

半导体器件的形成方法 [P].

严强生 ;

崔燕雯 .

中国专利 :CN118610154A ,2024-09-06

[10]

半导体器件、浅沟槽隔离结构形成方法 [P].

周谨 .

中国专利 :CN101459117B ,2009-06-17

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