一种二硫化钼掺银的硫化薄膜及其制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011125570.5

申请日：

2020-10-20

公开(公告)号：

CN112210753A

公开(公告)日：

2021-01-12

发明(设计)人：

王海新王立平蒲吉斌史彦斌郭武明

申请人：

申请人地址：

315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号

IPC主分类号：

C23C1406

IPC分类号：

C23C1414 C23C1435 C23C1458

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王茹;王锋

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-10	授权	授权
2021-01-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/06 申请日:20201020
2021-01-12	公开	公开

共 50 条

[1]

二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜及其制备方法与应用 [P].

蒲吉斌 ;

曾春 ;

王海新 ;

王立平 ;

薛群基 .

中国专利 :CN111621745B ,2020-09-04

[2]

二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜及其制备方法与应用 [P].

蒲吉斌 ;

曾春 ;

王海新 ;

王立平 ;

薛群基 .

中国专利 :CN111172498A ,2020-05-19

[3]

一种硫化二硫化钼/铜复合薄膜、其制备方法及应用 [P].

蒲吉斌 ;

范昕 ;

王海新 ;

史彦斌 ;

杨敏 .

中国专利 :CN114574826A ,2022-06-03

[4]

二硫化钼基掺杂陶瓷相多元复合薄膜及其制备方法与应用 [P].

王海新 ;

王立平 ;

任思明 ;

蒲吉斌 ;

郭武明 .

中国专利 :CN112251726A ,2021-01-22

[5]

一种硫化二硫化钼/铜复合薄膜、其制备方法及应用 [P].

蒲吉斌 ;

范昕 ;

王海新 ;

史彦斌 ;

杨敏 .

中国专利 :CN114574826B ,2024-09-13

[6]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

高庆国 ;

陈思敏 ;

陈滤成 ;

许哲铨 ;

张崇富 ;

潘新建 ;

于淼 ;

陈又鲜 .

中国专利 :CN115058700A ,2022-09-16

[7]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

刘新科 ;

何佳铸 ;

吕有明 ;

韩舜 ;

曹培江 ;

柳文军 ;

曾玉祥 ;

贾芳 ;

朱德亮 .

中国专利 :CN104947070A ,2015-09-30

[8]

一种二硫化钼/二硼化钨纳米复合多层薄膜及其制备方法与应用 [P].

任思明 ;

王立平 ;

高臻荣 ;

王海新 ;

李金龙 .

中国专利 :CN117187764B ,2025-12-09

[9]

一种耐磨二硫化钼基复合薄膜及其制备方法 [P].

丁继成 ;

刘帅 ;

蔡辉 ;

庄文建 ;

郑军 .

中国专利 :CN117626179A ,2024-03-01

[10]

一种纳米二硫化钼的制备方法及其制备的二硫化钼 [P].

蒋晓青 ;

刘怀志 .

中国专利 :CN107500358A ,2017-12-22

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