一种低杂质含量硅锭铸造炉

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专利类型
实用新型
申请号
CN201220236669.7
申请日
2012-05-24
公开(公告)号
CN202558969U
公开(公告)日
2012-11-28
发明(设计)人
林洪峰 陈红海 张柳 王临水 姚志东 刘兴翀 兰洵 张凤鸣
申请人
申请人地址
610000 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区天威路1号
IPC主分类号
C30B2806
IPC分类号
C30B2906
代理机构
成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220
代理人
谭新民;谢敏
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种低杂质含量引锭的制备方法 [P]. 
艾琳 ;
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[2]
铸造大重量硅锭的硅锭炉 [P]. 
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[3]
一种低杂质多晶硅铸锭炉 [P]. 
张发云 ;
饶森林 ;
陈小会 ;
熊含梦 ;
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黄雪雯 .
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[4]
一种改进的硅锭铸造用真空炉 [P]. 
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钱遵章 ;
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[5]
低杂质含量的工业硅生产方法 [P]. 
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[6]
一种制备低碳低氧硅锭的坩埚炉 [P]. 
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[7]
一种硅锭铸造设备 [P]. 
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[8]
一种硅锭铸造装置 [P]. 
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[9]
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刘振宝 ;
王继宪 ;
赵春雷 ;
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[10]
一种钛锭铸造炉 [P]. 
孟嘉楠 ;
高建杰 ;
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马丹 ;
赵东阳 ;
胡帅渤 ;
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