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一种MOSFET的测试电路
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN200920262263.4
申请日：
2009-12-30
公开(公告)号：
CN201611352U
公开(公告)日：
2010-10-20
发明(设计)人：
董长青
马俊
申请人：
申请人地址：
518118 广东省深圳市龙岗区坪山镇横坪公路3001号
IPC主分类号：
G01R120
IPC分类号：
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2010-10-20 | 授权 | 授权 |
| 2020-01-24 | 专利权的终止 | 专利权有效期届满 IPC(主分类):G01R 1/20 申请日:20091230 授权公告日:20101020 |