一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210360078.5

申请日：

2012-09-25

公开(公告)号：

CN102842599A

公开(公告)日：

2012-12-26

发明(设计)人：

孙清清郑珊房润辰张卫王鹏飞周鹏

申请人：

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29872 H01L21329

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司 31200

代理人：

陆飞;盛志范

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-26	公开	公开
2016-03-30	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101730261085 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2012103600785 申请公布日:20121226
2013-10-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101532738442 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2012103600785 申请日:20120925

共 50 条

[1]

碳化硅肖特基二极管及其制备方法 [P].

郎金荣 ;

刘奇斌 ;

程小强 .

中国专利 :CN111987139A ,2020-11-24

[2]

一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法 [P].

崔潆心 ;

韩吉胜 ;

王新宇 ;

徐现刚 ;

汉多科·林那威赫 .

中国专利 :CN118198150A ,2024-06-14

[3]

一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法 [P].

崔潆心 ;

韩吉胜 ;

王新宇 ;

徐现刚 ;

汉多科·林那威赫 .

中国专利 :CN118198150B ,2024-08-20

[4]

一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法 [P].

史伟民 .

中国专利 :CN113851528A ,2021-12-28

[5]

碳化硅肖特基二极管及其制备方法 [P].

李诚瞻 ;

戴小平 ;

吴煜东 ;

赵艳黎 ;

周正东 .

中国专利 :CN112750896B ,2021-05-04

[6]

沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法 [P].

何志 ;

张峰 ;

樊中朝 ;

赵咏梅 ;

孙国胜 ;

季安 ;

杨富华 .

中国专利 :CN102723357A ,2012-10-10

[7]

一种碳化硅肖特基二极管及其制造方法 [P].

李诚瞻 ;

吴煜东 ;

戴小平 ;

史晶晶 ;

王弋宇 .

中国专利 :CN109686797A ,2019-04-26

[8]

碳化硅肖特基二极管及其制备方法 [P].

李诚瞻 ;

戴小平 ;

吴煜东 ;

赵艳黎 ;

周正东 ;

罗烨辉 .

中国专利 :CN112713199A ,2021-04-27

[9]

碳化硅肖特基二极管及其制造方法 [P].

贺冠中 .

中国专利 :CN111192825A ,2020-05-22

[10]

一种沟槽型碳化硅肖特基二极管及其制作方法 [P].

张枫 ;

刘杰 .

中国专利 :CN114512402A ,2022-05-17

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