基于CH3NH3PbI3材料的PMOS器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610753311.4

申请日：

2016-08-29

公开(公告)号：

CN106299120A

公开(公告)日：

2017-01-04

发明(设计)人：

贾仁需汪钰成厐体强张玉明

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号西安电子科技大学

IPC主分类号：

H01L5105

IPC分类号：

H01L5140 H01L5142 H01L5148

代理机构：

西安智萃知识产权代理有限公司 61221

代理人：

刘长春

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-04	公开	公开
2019-07-23	授权	授权
2017-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101700832643 IPC(主分类):H01L 51/05 专利申请号:2016107533114 申请日:20160829

共 50 条

[1]

基于CH3NH3PbI3材料的NMOS器件及其制备方法 [P].

贾仁需 ;

汪钰成 ;

厐体强 ;

张玉明 .

中国专利 :CN106299124B ,2017-01-04

[2]

基于CH3NH3PbI3材料的CMOS器件及其制备方法 [P].

贾仁需 ;

汪钰成 ;

厐体强 ;

张玉明 .

中国专利 :CN106299121A ,2017-01-04

[3]

基于CH3NH3PbI3材料的P型双向HHET器件及其制备方法 [P].

贾仁需 ;

刘银涛 ;

汪钰成 ;

庞体强 ;

张玉明 .

中国专利 :CN106876489B ,2017-06-20

[4]

基于CH3NH3PbI3材料的互补型HEMT及其制备方法 [P].

贾仁需 ;

汪钰成 ;

庞体强 ;

刘银涛 ;

张玉明 .

中国专利 :CN106486600B ,2017-03-08

[5]

基于CH3NH3PbI3材料的N型双向HEMT器件及其制备方法 [P].

贾仁需 ;

刘银涛 ;

汪钰成 ;

庞体强 ;

张玉明 .

中国专利 :CN106549107B ,2017-03-29

[6]

基于CH3NH3PbI3材料的N型双向HEMT器件及其制备方法 [P].

贾仁需 ;

刘银涛 ;

汪钰成 ;

庞体强 ;

张玉明 .

中国专利 :CN106654011B ,2017-05-10

[7]

基于CH3NH3PbI3材料的MOS电容光敏器件及其制备方法 [P].

贾仁需 ;

李欢 ;

汪钰成 ;

庞体强 ;

张玉明 .

中国专利 :CN108011043A ,2018-05-08

[8]

基于CH3NH3PbI3/PCBM材料的反射增强互补型HEMT及其制备方法 [P].

贾仁需 ;

刘银涛 ;

汪钰成 ;

庞体强 ;

张玉明 .

中国专利 :CN106654012B ,2017-05-10

[9]

基于CH3NH3PbI3材料的P型HHMT晶体管及其制备方法 [P].

贾仁需 ;

汪钰成 ;

庞体强 ;

刘银涛 ;

张玉明 .

中国专利 :CN106410045B ,2017-02-15

[10]

基于CH3NH3PbI3和MoSe2材料的光敏器件及其制备方法 [P].

贾仁需 ;

李欢 ;

汪钰成 ;

庞体强 .

中国专利 :CN109037450A ,2018-12-18

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