一种可控硅输出光电耦合器结构

被引:0
申请号
CN202220631847.X
申请日
2022-03-22
公开(公告)号
CN216818340U
公开(公告)日
2022-06-24
发明(设计)人
赵学勇 刘驰 李晓萌
申请人
申请人地址
113000 辽宁省抚顺市东洲区绥化路东段42-2号
IPC主分类号
H01L2516
IPC分类号
H01L3364 H01L31024
代理机构
北京卓岚智财知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11624
代理人
张旭东
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种可控硅输出光电耦合器结构 [P]. 
肖震 ;
高鑫 .
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[2]
一种可控硅输出光电耦合器结构 [P]. 
陈力 .
中国专利 :CN211045438U ,2020-07-17
[3]
一种可控硅光电耦合器 [P]. 
何子杰 .
中国专利 :CN221151347U ,2024-06-14
[4]
用于触发可控硅的光电耦合器 [P]. 
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[5]
积分式光电可控硅耦合器 [P]. 
田振 ;
应晓南 ;
唐儒兵 .
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[6]
积分式光电可控硅耦合器 [P]. 
田振 ;
应晓南 ;
唐儒兵 .
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[7]
一种具有散热、防水结构的可控硅耦合器 [P]. 
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[8]
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[9]
一种光电耦合器 [P]. 
华显立 ;
许贵阳 ;
白东峰 ;
王毅 ;
倪江楠 ;
卢宏炎 ;
贺军峰 .
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[10]
一种光电耦合器 [P]. 
曾志铭 .
中国专利 :CN204578516U ,2015-08-19