一种Mg2SiO4低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810163154.7

申请日：

2008-12-18

公开(公告)号：

CN101429015A

公开(公告)日：

2009-05-13

发明(设计)人：

宋开新陈湘明

申请人：

申请人地址：

310018浙江省杭州市江干区下沙高教园区2号大街

IPC主分类号：

C04B3520

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司

代理人：

周烽

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-30	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101223909441 IPC(主分类):C04B 35/20 专利申请号:2008101631547 公开日:20090513
2009-05-13	公开	公开
2009-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

低介电常数微波介质陶瓷 [P].

陈湘明 ;

易磊 .

中国专利 :CN102020456A ,2011-04-20

[2]

一种低介电常数高品质微波介质陶瓷及其制备方法 [P].

宋开新 ;

郑梁 ;

秦会斌 .

中国专利 :CN101429009A ,2009-05-13

[3]

一种低介电常数微波介质陶瓷 [P].

陈湘明 ;

郑昌伟 .

中国专利 :CN1830889A ,2006-09-13

[4]

一种低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法 [P].

杨利 ;

杨小燕 ;

匡小军 .

中国专利 :CN113683399A ,2021-11-23

[5]

低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法 [P].

周焕福 ;

栾晓雯 ;

陈秀丽 ;

张海林 .

中国专利 :CN112194493B ,2021-01-08

[6]

一种低介电常数的微波介质陶瓷及其制备方法 [P].

杨志峰 ;

王士维 ;

王根水 ;

周志勇 ;

刘少华 ;

陈春华 .

中国专利 :CN103864414A ,2014-06-18

[7]

一种Mg2SiO4微波介质陶瓷的制备方法 [P].

卢路平 .

中国专利 :CN107867836A ,2018-04-03

[8]

一种低介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

刘鹏 ;

付志粉 ;

马建立 ;

李晶 ;

陈晓明 ;

冯琴琴 .

中国专利 :CN104671773B ,2015-06-03

[9]

一种低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法 [P].

李皓 ;

陈晓庆 ;

陈功田 ;

肖靖 ;

卢继武 ;

李高升 .

中国专利 :CN111393158A ,2020-07-10

[10]

一种低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法 [P].

周星星 ;

盘耀东 ;

吴成旺 ;

王斌 ;

谭伟能 ;

陈明贵 ;

郑酬 .

中国专利 :CN112830775A ,2021-05-25

← 1 2 3 4 5 →