具有同时形成的低电压逻辑器件和高电压逻辑器件的非易失性存储器阵列

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580065744.4

申请日：

2015-11-06

公开(公告)号：

CN107112328A

公开(公告)日：

2017-08-29

发明(设计)人：

F.周 X.刘 N.杜

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2711546

IPC分类号：

H01L21336 H01L2128 H01L29423 H01L2951

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

申屠伟进;郑冀之

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-13	授权	授权
2017-08-29	公开	公开
2017-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101749359134 IPC(主分类):H01L 27/11546 专利申请号:2015800657444 申请日:20151106

共 50 条

[1]

在半导体衬底上形成存储器单元、高电压器件和逻辑器件的方法 [P].

贾卓强 ;

邢精成 ;

X·刘 ;

S·乔尔巴 ;

N·多 .

美国专利 :CN118923222A ,2024-11-08

[2]

形成存储器阵列和逻辑器件的方法 [P].

J.金 ;

C.苏 ;

F.周 ;

X.刘 ;

N.杜 ;

P.屯塔苏德 ;

P.加扎维 .

中国专利 :CN108140554B ,2018-06-08

[3]

使用伪区域在衬底上形成具有存储器单元、高电压器件和逻辑器件的半导体器件的方法 [P].

贾卓强 ;

邢精成 ;

X·刘 ;

S·乔尔巴 ;

N·多 .

美国专利 :CN118696614A ,2024-09-24

[4]

具有非易失性存储器件的多值逻辑器件 [P].

金镐正 ;

崔仲镐 ;

申在光 ;

崔贤植 .

中国专利 :CN103117090A ,2013-05-22

[5]

形成分裂栅存储器单元阵列及低和高电压逻辑器件的方法 [P].

M-T.吴 ;

J-W.杨 ;

C.苏 ;

C-M.陈 ;

N.杜 .

中国专利 :CN107251199A ,2017-10-13

[6]

非易失性存储器阵列逻辑 [P].

弗雷德里克·佩纳 .

中国专利 :CN104756193B ,2015-07-01

[7]

形成具有存储器单元、高压器件和逻辑器件的设备的方法 [P].

王春明 ;

宋国祥 ;

邢精成 ;

孙士祯 ;

X·刘 ;

N·多 .

美国专利 :CN114256251B ,2025-05-13

[8]

形成具有FINFET分裂栅非易失性存储器单元和FINFET逻辑器件的设备的方法 [P].

周锋 ;

X·刘 ;

金珍浩 ;

S·乔尔巴 ;

C·德科贝尔特 ;

N·多 .

中国专利 :CN115152020A ,2022-10-04

[9]

形成具有存储器单元、高压器件和逻辑器件的设备的方法 [P].

王春明 ;

宋国祥 ;

邢精成 ;

孙士祯 ;

X·刘 ;

N·多 .

中国专利 :CN114256251A ,2022-03-29

[10]

基于非易失性存储器的同步逻辑 [P].

B.E.布查南 .

中国专利 :CN105190761A ,2015-12-23

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