半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610980028.5

申请日：

2016-11-08

公开(公告)号：

CN108074801A

公开(公告)日：

2018-05-25

发明(设计)人：

徐建华刘海龙

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

高静;吴敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-08	授权	授权
2018-06-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20161108
2018-05-25	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法 [P].

李勇 ;

洪中山 .

中国专利 :CN106611788A ,2017-05-03

[2]

半导体结构的形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN106653605B ,2017-05-10

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN108695254B ,2018-10-23

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN108987248A ,2018-12-11

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

石梦 ;

孙武 ;

韩宝东 ;

阎海涛 .

中国专利 :CN111627859A ,2020-09-04

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN109309088A ,2019-02-05

[7]

半导体结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

肖杏宇 .

中国专利 :CN113809176A ,2021-12-17

[8]

半导体结构的形成方法 [P].

师兰芳 ;

甘露 ;

郑春生 ;

张文广 ;

吴威威 .

中国专利 :CN114724923A ,2022-07-08

[9]

半导体结构的形成方法 [P].

朱宏亮 .

中国专利 :CN117912939A ,2024-04-19

[10]

半导体结构的形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN107393868A ,2017-11-24

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