用于制备正渗透膜的衬底以及正渗透膜

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420456963.8

申请日：

2014-08-13

公开(公告)号：

CN204159233U

公开(公告)日：

2015-02-18

发明(设计)人：

单明军王飘扬张浩云刘睿智

申请人：

申请人地址：

100875 北京市朝阳区酒仙桥路10号88号

IPC主分类号：

B01D6910

IPC分类号：

B01D6100 C02F144

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-18	授权	授权

共 50 条

[1]

正渗透膜元件以及正渗透膜组件 [P].

任重 ;

王飘扬 ;

张浩云 ;

龙嘉 .

中国专利 :CN204159217U ,2015-02-18

[2]

正渗透膜 [P].

单明军 ;

王飘扬 ;

龙嘉 ;

刘建斌 .

中国专利 :CN204149596U ,2015-02-11

[3]

具有正渗透膜的正渗透设备 [P].

单明军 ;

张浩云 ;

王建 .

中国专利 :CN204338023U ,2015-05-20

[4]

正渗透膜装置 [P].

单明军 ;

王飘扬 ;

李继富 ;

刘建斌 .

中国专利 :CN204162472U ,2015-02-18

[5]

导电正渗透膜制备方法及其导电正渗透膜 [P].

马聪 ;

田瑶瑶 ;

唐春 .

中国专利 :CN118751072A ,2024-10-11

[6]

正渗透膜制造系统 [P].

单明军 ;

张玉柱 ;

李继富 ;

刘湃 .

中国专利 :CN204338026U ,2015-05-20

[7]

正渗透膜和正渗透膜组件及其制造方法 [P].

堀田大辅 .

中国专利 :CN113905807A ,2022-01-07

[8]

正渗透膜和正渗透膜组件及其制造方法 [P].

堀田大辅 .

日本专利 :CN113905807B ,2024-11-26

[9]

正渗透膜及正渗透处理系统 [P].

森田徹 ;

金田真幸 ;

安川政宏 ;

松山秀人 .

中国专利 :CN106659987A ,2017-05-10

[10]

正渗透膜及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN113491962A ,2021-10-12

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