直拉法生长单晶热场的石墨坩埚

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220709097.X

申请日：

2012-12-20

公开(公告)号：

CN203049085U

公开(公告)日：

2013-07-10

发明(设计)人：

吴亚军李宗斌梁会宁胡元庆

申请人：

申请人地址：

214407 江苏省无锡市江阴市徐霞客镇璜塘工业园区

IPC主分类号：

C30B1510

IPC分类号：

代理机构：

江阴市同盛专利事务所(普通合伙) 32210

代理人：

唐纫兰;曾丹

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 15/10 申请日:20121220 授权公告日:20130710 终止日期:20191220
2013-07-10	授权	授权
2018-10-16	专利权的保全及其解除	专利权的保全 IPC(主分类):C30B 15/10 申请日:20121220 授权公告日:20130710 登记生效日:20180914
2021-11-02	专利权的保全及其解除	专利权保全的解除 IPC(主分类):C30B 15/10 申请日:20121220 授权公告日:20130710 解除日:20210914

共 50 条

[1]

直拉法生长低位错单晶的热场结构 [P].

黎建明 ;

冯德伸 ;

高欢欢 ;

张路 ;

王霈文 .

中国专利 :CN205275775U ,2016-06-01

[2]

直拉法单晶炉石墨热场导流罩 [P].

王煜辉 .

中国专利 :CN202297854U ,2012-07-04

[3]

直拉单晶炉石墨坩埚 [P].

周俭 .

中国专利 :CN201634795U ,2010-11-17

[4]

一种直拉法生长硅单晶的热场装置 [P].

王琳 ;

郝小平 ;

叶慧慧 ;

樊世飞 .

中国专利 :CN218147034U ,2022-12-27

[5]

一种用于直拉法生长单晶的坩埚 [P].

吴亚军 ;

姜庆堂 ;

冯立学 ;

梁会宁 ;

胡元庆 .

中国专利 :CN202157141U ,2012-03-07

[6]

一种直拉单晶炉热场用石墨坩埚 [P].

姜舰 ;

秦瑞锋 ;

戴小林 ;

崔彬 ;

王雅楠 ;

吴志强 .

中国专利 :CN109898134A ,2019-06-18

[7]

直拉单晶炉用石墨坩埚 [P].

施美生 ;

戴士隽 .

中国专利 :CN201317827Y ,2009-09-30

[8]

直拉法单晶炉热场结构 [P].

冯银辉 .

中国专利 :CN202730297U ,2013-02-13

[9]

直拉单晶炉石墨坩埚 [P].

周俭 .

中国专利 :CN102206855A ,2011-10-05

[10]

一种用于直拉法生长单晶的坩埚 [P].

吴亚军 ;

姜庆堂 ;

冯立学 ;

梁会宁 ;

胡元庆 .

中国专利 :CN102191537A ,2011-09-21

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