一种高强度高导电良好成形性的铜镍硅合金及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010340095.7

申请日：

2020-04-26

公开(公告)号：

CN111636011A

公开(公告)日：

2020-09-08

发明(设计)人：

吴文博崔书辉韩俊钢赵红运郑学清韩明达张程赵树昌

申请人：

申请人地址：

753000 宁夏回族自治区石嘴山市大武口区冶金路119号

IPC主分类号：

C22C906

IPC分类号：

C22C103 C22F108 H01B102

代理机构：

中国和平利用军工技术协会专利中心 11215

代理人：

周玄;李智婧

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C22C 9/06 申请公布日:20200908
2020-10-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C22C 9/06 申请日:20200426
2020-09-08	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高强度高折弯性铜镍硅合金及其制备方法 [P].

刘志成 ;

李钊 ;

王云豪 ;

吴存慧 ;

黄洪锦 ;

陈伟兰 .

中国专利 :CN115652134A ,2023-01-31

[2]

一种高强度高精度铜镍硅合金及其制备方法 [P].

刘志成 ;

李钊 ;

王云豪 ;

吴存慧 ;

黄洪锦 ;

陈伟兰 .

中国专利 :CN115652135A ,2023-01-31

[3]

一种高强度铜镍硅合金的制备方法 [P].

施海龙 ;

徐子晖 ;

刘世媛 ;

王晓军 ;

李雪健 ;

徐超 ;

胡小石 .

中国专利 :CN117867426A ,2024-04-12

[4]

一种引线框架用高强高导电铜镍硅合金及其制备方法 [P].

胡强 ;

潘贤康 ;

管博 ;

吴丹 ;

曾思琪 ;

徐敬 ;

吴语 ;

幸振 ;

胡晓娜 .

中国专利 :CN119220854A ,2024-12-31

[5]

一种高强度铜镍硅合金的短流程制备方法 [P].

王晓军 ;

徐子晖 ;

刘世媛 ;

施海龙 ;

李雪健 ;

徐超 ;

胡小石 .

中国专利 :CN117867425A ,2024-04-12

[6]

一种高强高弹铜镍硅系合金材料及其制备方法 [P].

刘峰 ;

黄国杰 ;

马吉苗 ;

彭丽军 ;

米绪军 ;

邵烨 ;

解浩峰 ;

廖骏骏 ;

李艳锋 ;

冯雪 ;

尹向前 .

中国专利 :CN106399749B ,2017-02-15

[7]

具有高强度和高电导率的铜-镍-硅合金 [P].

卡罗勒·L·特雷布斯 ;

约翰·C·小库利 ;

克里斯托弗·J·泰勒 .

中国专利 :CN112823215A ,2021-05-18

[8]

高强度、高导电耐应力松弛铜镍硅合金材料及其制备方法 [P].

彭丽军 ;

王建立 ;

黄国杰 ;

解浩峰 ;

马吉苗 ;

米绪军 ;

刘峰 ;

邵烨 ;

尹向前 .

中国专利 :CN108193080B ,2018-06-22

[9]

一种高强高折弯铜镍硅合金带的制备方法 [P].

陈清香 ;

李云翔 ;

卫煜堂 ;

李华东 ;

李鑫 ;

秦会辉 ;

张祥 ;

薛晓康 ;

冯茜 .

中国专利 :CN113699401A ,2021-11-26

[10]

一种高强高导电引线框架用铜镍硅合金带材及其制备方法 [P].

王佳豪 ;

胡强 ;

邹晋 .

中国专利 :CN118326203A ,2024-07-12

← 1 2 3 4 5 →