在半导体器件中形成浅沟槽隔离结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03825402.6

申请日：

2003-09-09

公开(公告)号：

CN1701433A

公开(公告)日：

2005-11-23

发明(设计)人：

T·M·巴里 N·德戈 D·A·埃里克森 A·S·凯尔科 B·J·拉森

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2176

IPC分类号：

H01L21302 H01L21461

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

钱慰民

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101138510331 IPC(主分类):H01L 21/76 专利号:ZL038254026 申请日:20030909 授权公告日:20080723 终止日期:20100909
2006-01-18	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-07-23	授权	授权
2005-11-23	公开	公开

共 50 条

[1]

形成浅沟槽隔离结构的方法及半导体器件的制造方法 [P].

赵星 ;

冀建民 ;

侯红娟 ;

李慧强 ;

郭得亮 .

中国专利 :CN101640182B ,2010-02-03

[2]

形成浅沟槽隔离(STI)结构的方法 [P].

贾斯丁·希罗奇·萨托 ;

格雷戈里·艾伦·斯托姆 .

中国专利 :CN107690692A ,2018-02-13

[3]

制造浅沟槽隔离结构的方法和半导体器件 [P].

杨海宁 ;

李伟健 .

中国专利 :CN101221927A ,2008-07-16

[4]

浅沟槽隔离结构的制备方法及半导体器件 [P].

郭灏 .

中国专利 :CN119993901A ,2025-05-13

[5]

浅沟槽制备方法、浅沟槽隔离结构制备方法、半导体器件 [P].

苏洋 ;

孙九龙 ;

刘欣 ;

康小磊 ;

李丹妮 .

中国专利 :CN117995754A ,2024-05-07

[6]

浅沟槽制备方法、浅沟槽隔离结构制备方法、半导体器件 [P].

苏洋 ;

孙九龙 ;

刘欣 ;

康小磊 ;

李丹妮 .

中国专利 :CN117995754B ,2025-07-08

[7]

形成浅沟槽隔离结构的方法及浅沟槽隔离结构 [P].

韩秋华 ;

陈海华 ;

张世谋 ;

韩宝东 .

中国专利 :CN101673701A ,2010-03-17

[8]

半导体器件、浅沟槽隔离结构形成方法 [P].

周谨 .

中国专利 :CN101459117B ,2009-06-17

[9]

具有浅沟槽隔离结构的半导体器件及其制造方法 [P].

李盛三 ;

秦教英 ;

金允基 .

中国专利 :CN1866523A ,2006-11-22

[10]

具有浅沟槽隔离结构的半导体器件及其制造方法 [P].

朴柱昱 .

中国专利 :CN1169208C ,2002-07-03

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