导电膜的形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN92113361.8
申请日
1992-11-25
公开(公告)号
CN1073296A
公开(公告)日
1993-06-16
发明(设计)人
赵胜衍
申请人
申请人地址
韩国汉城
IPC主分类号
H01J920
IPC分类号
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人
范本国
法律状态
实质审查请求的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
感光性导电膜、导电膜的形成方法、导电图形的形成方法以及导电膜基板 [P]. 
山崎宏 .
中国专利 :CN102124529B ,2011-07-13
[2]
感光性导电膜、导电膜的形成方法、导电图形的形成方法以及导电膜基板 [P]. 
山崎宏 .
中国专利 :CN102789131A ,2012-11-21
[3]
感光性导电膜、导电膜的形成方法、导电图形的形成方法以及导电膜基板 [P]. 
山崎宏 .
中国专利 :CN103728794B ,2014-04-16
[4]
感光性导电膜、导电膜的形成方法、导电图形的形成方法以及导电膜基板 [P]. 
山崎宏 .
中国专利 :CN104282360A ,2015-01-14
[5]
透明导电膜的形成方法 [P]. 
高桥明久 ;
石桥晓 ;
杉浦功 ;
高泽悟 .
中国专利 :CN101680079B ,2010-03-24
[6]
透明导电膜的形成方法 [P]. 
辻稔夫 ;
伊藤博人 ;
清村贵利 .
中国专利 :CN1312319C ,2003-06-11
[7]
透明导电膜的形成方法 [P]. 
浮岛祯之 ;
竹井日出夫 ;
石桥晓 ;
厚木勉 ;
小田正明 ;
山口浩史 .
中国专利 :CN100449652C ,2006-01-18
[8]
导电图案的形成方法、导电膜、导电图案及透明导电膜 [P]. 
郑光春 ;
柳志勋 ;
李仁淑 ;
成俊基 ;
韩大尚 .
中国专利 :CN104919572B ,2015-09-16
[9]
感光性导电薄膜、导电膜的形成方法和导电图案的形成方法 [P]. 
山崎宏 ;
五十岚由三 .
中国专利 :CN102859612A ,2013-01-02
[10]
ITO导电膜形成用涂料及ITO导电膜的形成方法 [P]. 
米泽岳洋 ;
山崎和彦 ;
竹之下爱 .
中国专利 :CN104017395B ,2014-09-03