n型氮化铝单晶基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580041005.1

申请日：

2015-07-21

公开(公告)号：

CN106574399A

公开(公告)日：

2017-04-19

发明(设计)人：

木下亨永岛彻

申请人：

申请人地址：

日本山口县周南市

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

H01L21329 H01L29207 H01L2947 H01L29872

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

吕琳;朴秀玉

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-04-19	公开	公开
2019-05-07	授权	授权
2017-05-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101719986824 IPC(主分类):C30B 29/38 专利申请号:2015800410051 申请日:20150721

共 50 条

[1]

n型氮化铝单晶基板以及垂直型氮化物半导体器件 [P].

木下亨 ;

小幡俊之 ;

永岛彻 .

中国专利 :CN105658848A ,2016-06-08

[2]

氮化铝单晶基板及其制造方法 [P].

纐缬明伯 ;

熊谷义直 ;

永岛彻 ;

平连有纪 .

中国专利 :CN103975098A ,2014-08-06

[3]

氮化铝单晶基板的制造方法 [P].

永岛徹 ;

冈山玲子 ;

福田真行 ;

柳裕之 .

中国专利 :CN108713075B ,2018-10-26

[4]

LED灯用氮化铝单晶基板 [P].

林伟毅 .

中国专利 :CN209876845U ,2019-12-31

[5]

氮化铝单晶基板及其制造方法 [P].

纐缬明伯 ;

熊谷义直 ;

永岛彻 ;

平连有纪 .

中国专利 :CN111621852A ,2020-09-04

[6]

氮化铝单晶基板、使用氮化铝单晶基板的半导体晶圆及其制造方法 [P].

木下亨 .

日本专利 :CN118510945A ,2024-08-16

[7]

III族氮化物单晶基板的制造方法、氮化铝单晶基板 [P].

福田真行 ;

人见达矢 ;

山本玲绪 .

日本专利 :CN118159695A ,2024-06-07

[8]

智能LED灯用氮化铝单晶基板 [P].

钟静云 .

中国专利 :CN215929505U ,2022-03-01

[9]

氮化铝单晶 [P].

岩崎洋介 ;

中村启一郎 .

中国专利 :CN108463582A ,2018-08-28

[10]

氮化铝单晶的制造装置、氮化铝单晶的制造方法及氮化铝单晶 [P].

加藤智久 ;

长井一郎 ;

三浦知则 ;

鎌田弘之 .

中国专利 :CN102405310B ,2012-04-04

← 1 2 3 4 5 →