一种Li基低介低损耗LTCC材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610405387.8

申请日：

2016-06-07

公开(公告)号：

CN106083043A

公开(公告)日：

2016-11-09

发明(设计)人：

苏桦赖元明唐晓莉荆玉兰张怀武李元勋

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

C04B35495

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

电子科技大学专利中心 51203

代理人：

张杨

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-09	公开	公开
2019-03-05	授权	授权
2016-12-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101690439747 IPC(主分类):C04B 35/495 专利申请号:2016104053878 申请日:20160607

共 50 条

[1]

一种低介低损耗LTCC材料及其制备方法 [P].

彭虎 ;

郭海 ;

李倩杰 ;

聂敏 ;

宋业辉 ;

周相国 .

中国专利 :CN115521138A ,2022-12-27

[2]

一种低介低损耗LTCC材料及其制备方法和生瓷带 [P].

吕洋 ;

兰耀海 ;

王明明 ;

魏启鹏 ;

王飞 ;

马涛 .

中国专利 :CN117865663B ,2025-09-23

[3]

一种低介电超低损耗温度稳定LTCC材料及其制备方法 [P].

王刚 ;

胡云峰 ;

李士昌 ;

童佳聪 ;

任信钢 ;

杨利霞 ;

黄志祥 ;

吴先良 .

中国专利 :CN117720344A ,2024-03-19

[4]

一种低介低损耗LTCC材料及其制备方法和生瓷带 [P].

吕洋 ;

兰耀海 ;

王明明 ;

魏启鹏 ;

王飞 ;

马涛 .

中国专利 :CN117865663A ,2024-04-12

[5]

一种低介低损耗LTCC微波陶瓷材料及其制备方法 [P].

唐晓莉 ;

章著 ;

苏桦 ;

张怀武 ;

荆玉兰 ;

李元勋 .

中国专利 :CN103121842A ,2013-05-29

[6]

一种低介、低损耗硼化物LTCC材料及其制备方法 [P].

吕学鹏 .

中国专利 :CN114180939B ,2022-03-15

[7]

一种低介低损耗高强度LTCC材料及其制备方法 [P].

陈亚伟 ;

周志斌 ;

陈志远 ;

梁启新 ;

简丽勇 .

中国专利 :CN117024131B ,2025-06-06

[8]

一种超低温烧结的低介低损耗LTCC材料及其制备方法 [P].

舒国劲 ;

窦占明 ;

杨俊 ;

庞锦标 ;

韩玉成 ;

韩光学 .

中国专利 :CN113816736B ,2021-12-21

[9]

一种低介低损耗复合LTCC材料、制备方法及应用 [P].

苏桦 ;

汪子航 ;

简贤 ;

王俊伟 .

中国专利 :CN116639967B ,2024-10-29

[10]

一种低介低损耗的LTCC微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

陈忠燕 .

中国专利 :CN106699179A ,2017-05-24

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