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一种提高紫外LED光输出功率的外延结构
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202121405958.0
申请日
:
2021-06-22
公开(公告)号
:
CN215342640U
公开(公告)日
:
2021-12-28
发明(设计)人
:
南琦
刘银
申请人
:
申请人地址
:
215000 江苏省苏州市高新区竹园路209号4号楼2301-12
IPC主分类号
:
H01L3344
IPC分类号
:
H01L3360
H01L3354
代理机构
:
北京化育知识产权代理有限公司 11833
代理人
:
闫露露
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-12-28
授权
授权
共 50 条
[1]
一种提高紫外LED光输出功率的外延结构
[P].
何苗
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何苗
;
黄波
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黄波
;
熊德平
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熊德平
;
杨思攀
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杨思攀
;
周海亮
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周海亮
.
中国专利
:CN206685404U
,2017-11-28
[2]
一种提高紫外LED光输出功率的外延结构
[P].
何苗
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何苗
;
黄波
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黄波
;
熊德平
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熊德平
;
杨思攀
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杨思攀
;
周海亮
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周海亮
.
中国专利
:CN106935690A
,2017-07-07
[3]
一种提高紫外LED光输出功率的外延结构
[P].
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机构:
何苗
;
黄波
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机构:
广东工业大学
广东工业大学
黄波
;
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机构:
熊德平
;
杨思攀
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机构:
广东工业大学
广东工业大学
杨思攀
;
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机构:
周海亮
.
中国专利
:CN106935690B
,2024-05-14
[4]
一种提高光输出的AlGaN基深紫外LED外延结构
[P].
尹以安
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尹以安
;
王敦年
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王敦年
.
中国专利
:CN108231965B
,2018-06-29
[5]
提高光输出的LED器件结构
[P].
罗纳德·史蒂文·科克
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罗纳德·史蒂文·科克
.
中国专利
:CN102047464B
,2011-05-04
[6]
一种增强光输出功率的深紫外LED芯片及其制造方法
[P].
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机构:
周圣军
;
吕振兴
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机构:
武汉大学
武汉大学
吕振兴
;
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机构:
廖喆夫
;
蒋晶晶
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机构:
武汉大学
武汉大学
蒋晶晶
.
中国专利
:CN117712255A
,2024-03-15
[7]
一种新型的深紫外LED外延结构
[P].
尹以安
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尹以安
;
王敦年
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王敦年
.
中国专利
:CN208014725U
,2018-10-26
[8]
一种紫外LED外延结构
[P].
何苗
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何苗
;
黄波
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黄波
;
王成民
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王成民
;
周海亮
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周海亮
;
王润
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王润
.
中国专利
:CN107275450A
,2017-10-20
[9]
一种紫外LED外延结构
[P].
何苗
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何苗
;
黄波
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黄波
;
王成民
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王成民
;
周海亮
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周海亮
;
王润
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王润
.
中国专利
:CN207381425U
,2018-05-18
[10]
一种紫外LED外延结构
[P].
郑树文
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郑树文
;
王立云
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王立云
;
何伟
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何伟
;
郑涛
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郑涛
.
中国专利
:CN110224048B
,2019-09-10
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