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投入式半导体制冷装置
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN98209578.3
申请日：
1998-04-19
公开(公告)号：
CN2326913Y
公开(公告)日：
1999-06-30
发明(设计)人：
刘志华
关永卿
骆志成
毛立新
李社刚
申请人：
申请人地址：
310007浙江省杭州市天目山路45－8号三楼
IPC主分类号：
F25B2102
IPC分类号：
代理机构：
浙江大学专利代理事务所
代理人：
韩介梅
法律状态：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2003-04-09 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 变更事项:地址 变更前:310007杭州市目山路45-8号三楼 变更后:310012杭州市西湖区文三路90号东部软件园一号楼 变更事项:专利权人 变更前:杭州大和热磁电子有限公司 变更后:杭州博日科技有限公司 |
| 2006-06-14 | 专利权的终止未缴年费专利权终止 | 专利权的终止未缴年费专利权终止 |
| 1999-06-30 | 授权 | 授权 |