一种无应变AlInGaN深紫外LED外延结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910792759.0

申请日：

2019-08-26

公开(公告)号：

CN110611019B

公开(公告)日：

2019-12-24

发明(设计)人：

尹以安廖峰波

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市华南师范大学半导体科学技术研究院

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3314 H01L3332

代理机构：

广州专理知识产权代理事务所(普通合伙) 44493

代理人：

谭昉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/06 申请日:20190826
2020-11-17	授权	授权
2022-01-14	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/06 登记生效日:20220105 变更事项:专利权人变更前权利人:华南师范大学变更后权利人:江苏第三代半导体研究院有限公司变更事项:地址变更前权利人:510000 广东省广州市华南师范大学半导体科学技术研究院变更后权利人:215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室
2019-12-24	公开	公开

共 50 条

[1]

一种深紫外LED外延结构及其制备方法和深紫外LED [P].

徐孝灵 ;

黄小辉 ;

王小文 ;

康健 ;

郑远志 ;

陈向东 .

中国专利 :CN110112273B ,2019-08-09

[2]

一种深紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

蔡武 ;

康建 ;

杨天鹏 ;

陈向东 .

中国专利 :CN115148872B ,2025-07-01

[3]

一种深紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

蔡武 ;

康建 ;

杨天鹏 ;

陈向东 .

中国专利 :CN115148872A ,2022-10-04

[4]

一种新型的深紫外LED外延结构 [P].

尹以安 ;

王敦年 .

中国专利 :CN208014725U ,2018-10-26

[5]

用于深紫外LED的外延片及其制备方法、深紫外LED [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115377263B ,2022-11-22

[6]

一种深紫外LED结构 [P].

王巧 ;

陈志涛 ;

王君君 ;

张康 ;

刘宁炀 ;

曾巧玉 ;

黄玉婷 .

中国专利 :CN208655681U ,2019-03-26

[7]

用于深紫外LED的外延结构及其制备方法、LED [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

曾家明 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN115207176B ,2022-12-30

[8]

一种深紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

齐胜利 ;

郭丽彬 ;

刘亚柱 .

中国专利 :CN112736174A ,2021-04-30

[9]

一种垂直结构的深紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

贾晓龙 ;

张晓娜 ;

崔志强 ;

赵张媛 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN120500171B ,2025-09-30

[10]

一种垂直结构的深紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

贾晓龙 ;

张晓娜 ;

崔志强 ;

赵张媛 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN120500171A ,2025-08-15

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