一种基于预定尺寸量子点的白光QLED器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610955611.0

申请日：

2016-10-27

公开(公告)号：

CN106356466A

公开(公告)日：

2017-01-25

发明(设计)人：

钱磊杨一行曹蔚然向超宇陈崧

申请人：

申请人地址：

516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区

IPC主分类号：

H01L5150

IPC分类号：

H01L5156

代理机构：

深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268

代理人：

王永文;刘文求

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-25	公开	公开
2018-01-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/50 申请日:20161027
2019-09-10	授权	授权

共 50 条

[1]

基于量子阱结构量子点的白光QLED器件及制备方法 [P].

钱磊 ;

杨一行 ;

曹蔚然 ;

向超宇 ;

陈崧 .

中国专利 :CN106299146B ,2017-01-04

[2]

量子点和QLED器件的制备方法、QLED器件 [P].

梁凯旋 ;

姚琪 .

中国专利 :CN112436099A ,2021-03-02

[3]

量子点层制备方法、QLED器件的制备方法及QLED器件 [P].

陈亚文 ;

史文 .

中国专利 :CN112768622A ,2021-05-07

[4]

一种量子点智慧照明QLED器件及其制备方法 [P].

李福山 ;

朱阳斌 ;

胡海龙 ;

郭太良 .

中国专利 :CN112687821B ,2021-04-20

[5]

白光QLED器件及制备方法 [P].

陈亚文 ;

付东 .

中国专利 :CN105070802A ,2015-11-18

[6]

一种QLED器件及制备方法 [P].

李龙基 ;

曹蔚然 .

中国专利 :CN108735905A ,2018-11-02

[7]

白光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法 [P].

曹进 ;

周洁 ;

谢婧薇 ;

魏翔 ;

俞浩健 .

中国专利 :CN105845833B ,2016-08-10

[8]

白光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法 [P].

曹进 ;

周洁 ;

谢婧薇 ;

魏翔 ;

俞浩健 .

中国专利 :CN105826481A ,2016-08-03

[9]

一种QLED器件及QLED器件的制备方法 [P].

龚浩天 ;

庄锦勇 .

中国专利 :CN115568239A ,2023-01-03

[10]

倒置白光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法 [P].

曹进 ;

周洁 ;

谢婧薇 ;

魏翔 ;

俞浩健 .

中国专利 :CN105845836B ,2016-08-10

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