控制蚀刻选择性的方法和装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02804946.2

申请日：

2002-01-25

公开(公告)号：

CN1258811C

公开(公告)日：

2004-04-21

发明(设计)人：

J·S·兰斯福德 L·福尔克

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

戈泊;程伟

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20020125 授权公告日:20060607 终止日期:20190125
2010-08-11	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101003941530 IPC(主分类):H01L 21/66 专利号:ZL028049462 变更事项:专利权人变更前权利人:先进微装置公司变更后权利人:格罗方德半导体公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:英属开曼群岛大开曼岛登记生效日:20100705
2004-04-21	公开	公开
2006-06-07	授权	授权
2004-06-30	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

选择性蚀刻的方法 [P].

R·鲁 ;

C·波瑞特 ;

A·弗拉 .

中国专利 :CN109786238B ,2019-05-21

[2]

选择性蚀刻氮化硅的方法 [P].

杨玮盈 ;

高德丰 ;

约翰·苏迪约诺 ;

米哈伊尔·科里奥克 ;

保罗·E·吉 ;

蔡泰正 ;

菲利普·A·克劳斯 .

美国专利 :CN120981898A ,2025-11-18

[3]

发动机控制方法、选择性控制方法和选择性控制系统 [P].

王菁 ;

孙山峰 ;

刘冰 ;

李永昌 ;

王飞 .

中国专利 :CN108590912A ,2018-09-28

[4]

含氮材料选择性蚀刻方法 [P].

邱意为 ;

吴孟娟 ;

翁子展 .

中国专利 :CN108074807B ,2018-05-25

[5]

保护层的选择性蚀刻 [P].

孙钟禹 ;

张出河 ;

金正宰 ;

浩司铃木 ;

高志桑原 .

中国专利 :CN1739189A ,2006-02-22

[6]

用于显示的选择性像素控制的装置、方法和模块 [P].

J·伯吉斯特 .

中国专利 :CN102782569B ,2012-11-14

[7]

用于选择性控制目标效用的设备和方法 [P].

P·阿特金森 ;

R·S·科内罗 .

中国专利 :CN101444034A ,2009-05-27

[8]

用于选择性数据接收的装置和方法 [P].

T·佩拉 .

中国专利 :CN1813433A ,2006-08-02

[9]

通过选择性循环蚀刻形成的finFET隔离 [P].

S·K·卡纳卡萨巴帕西 ;

S·A·西格 ;

T·E·斯坦达尔特 ;

Y·尹 .

中国专利 :CN105190853B ,2015-12-23

[10]

选择性催化还原装置控制 [P].

M·卡米哥亚 ;

G·比内蒂 ;

C·I·霍约斯韦拉斯科 ;

G·马扎拉博洛尼亚 ;

A·贝伯拉德 ;

D·贝尔纳迪尼 .

中国专利 :CN110500161A ,2019-11-26

← 1 2 3 4 5 →