发光二极管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202021609594.3

申请日：

2020-08-05

公开(公告)号：

CN213026170U

公开(公告)日：

2021-04-20

发明(设计)人：

张学双马拥军

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道10号大街300号1幢1层

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

H01L3302

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司 11449

代理人：

蔡纯;李镇江

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-20	授权	授权

共 50 条

[1]

发光二极管 [P].

张学双 ;

马拥军 .

中国专利 :CN212434645U ,2021-01-29

[2]

发光二极管和发光二极管模块 [P].

蔡钟炫 ;

卢元英 ;

李俊燮 ;

姜珉佑 ;

张锺敏 ;

金贤儿 ;

裴善敏 ;

徐大雄 .

中国专利 :CN204167351U ,2015-02-18

[3]

发光二极管芯片、发光二极管 [P].

尹灵峰 ;

吴志浩 ;

高艳龙 ;

魏柏林 ;

王江波 .

中国专利 :CN209766464U ,2019-12-10

[4]

发光二极管、发光二极管模块和制造发光二极管的方法 [P].

蔡钟炫 ;

卢元英 ;

李俊燮 ;

姜珉佑 ;

张锺敏 ;

金贤儿 ;

裴善敏 ;

徐大雄 .

中国专利 :CN104465942A ,2015-03-25

[5]

发光二极管、发光二极管模块和制造发光二极管的方法 [P].

蔡钟炫 ;

卢元英 ;

李俊燮 ;

姜珉佑 ;

张锺敏 ;

金贤儿 ;

裴善敏 ;

徐大雄 .

中国专利 :CN108987546B ,2018-12-11

[6]

发光二极管 [P].

M·M·德科克－范布里曼 ;

M·比尔彻尔 ;

S·H·P·M·德文得 ;

S·I·E·武尔托 .

中国专利 :CN1833323A ,2006-09-13

[7]

发光二极管 [P].

松下保彦 .

中国专利 :CN100391016C ,2006-02-15

[8]

发光二极管 [P].

尹余镇 ;

徐源哲 .

中国专利 :CN104241488A ,2014-12-24

[9]

发光二极管 [P].

曹文明 ;

欧震 ;

王韦涵 ;

陈建文 .

中国专利 :CN101364621B ,2009-02-11

[10]

发光二极管 [P].

尹余镇 ;

徐源哲 .

中国专利 :CN102110754B ,2011-06-29

← 1 2 3 4 5 →