铜铟镓硒薄膜太阳电池窗口层的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010236360.3

申请日：

2010-07-26

公开(公告)号：

CN101908583B

公开(公告)日：

2010-12-08

发明(设计)人：

方小红李微

申请人：

申请人地址：

300381 天津市南开区李七庄凌庄子道18号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

代理机构：

天津盛理知识产权代理有限公司 12209

代理人：

王来佳

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20100726 授权公告日:20120808 终止日期:20180726
2010-12-08	公开	公开
2012-08-08	授权	授权
2011-09-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101103522297 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2010102363603 申请日:20100726

共 50 条

[1]

一种铜铟镓硒太阳电池窗口层的制备方法 [P].

张瀚铭 ;

乔在祥 ;

赵彦民 ;

赵岳 .

中国专利 :CN105355718A ,2016-02-24

[2]

柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池制备方法 [P].

方小红 ;

王庆华 ;

赵彦民 ;

冯金晖 ;

杨立 .

中国专利 :CN100550434C ,2008-04-23

[3]

一种柔性衬底铜铟镓硒薄膜太阳电池窗口层的制备方法 [P].

张瀚铭 ;

乔在祥 ;

赵彦民 ;

赵岳 .

中国专利 :CN105655441A ,2016-06-08

[4]

铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的制备方法 [P].

李微 .

中国专利 :CN102943237A ,2013-02-27

[5]

柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的制备方法 [P].

杨亦桐 .

中国专利 :CN102956752B ,2013-03-06

[6]

一种铜铟镓硒薄膜太阳电池缓冲层的制备方法 [P].

张瀚铭 ;

乔在祥 ;

赵岳 ;

徐睿 .

中国专利 :CN106784076A ,2017-05-31

[7]

铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层的硒化方法 [P].

赵彦民 ;

刘兴江 ;

方小红 ;

王庆华 ;

冯金晖 .

中国专利 :CN102097522A ,2011-06-15

[8]

铜铟镓硒薄膜太阳电池用光吸收层的制备方法 [P].

赵彦民 ;

方小红 ;

王庆华 ;

李巍 .

中国专利 :CN101771100A ,2010-07-07

[9]

一种铜铟镓硒薄膜太阳电池 [P].

申绪男 ;

赵岳 ;

王赫 ;

杨亦桐 ;

邓朝文 ;

赵彦民 ;

乔在祥 .

中国专利 :CN203721739U ,2014-07-16

[10]

一种铜铟镓硒薄膜太阳电池 [P].

董友强 .

中国专利 :CN105870214A ,2016-08-17

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