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一种高纯超细过渡金属碳化物单相高熵陶瓷粉体及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910672902.2
申请日
:
2019-07-24
公开(公告)号
:
CN110330341A
公开(公告)日
:
2019-10-15
发明(设计)人
:
陈磊
苏文韬
王玉金
张文
徐晨光
周玉
申请人
:
申请人地址
:
150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
IPC主分类号
:
C04B3556
IPC分类号
:
C04B35626
代理机构
:
哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109
代理人
:
岳泉清
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-09-14
授权
授权
2019-10-15
公开
公开
2019-11-08
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/56 申请日:20190724
共 50 条
[1]
一种超硬五组元过渡金属碳化物单相高熵陶瓷材料及其制备方法
[P].
陈磊
论文数:
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陈磊
;
王恺
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王恺
;
王玉金
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王玉金
;
苏文韬
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苏文韬
;
周玉
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周玉
.
中国专利
:CN110194667B
,2019-09-03
[2]
一种致密纳米过渡金属碳化物高熵陶瓷及其制备方法
[P].
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机构:
刘雯
;
曲子豪
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机构:
郑州大学
郑州大学
曲子豪
;
论文数:
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机构:
王海龙
;
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机构:
李明亮
;
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机构:
朱锦鹏
;
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机构:
卢红霞
;
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机构:
范冰冰
;
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机构:
许红亮
;
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机构:
邵刚
;
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机构:
张锐
.
中国专利
:CN118754669A
,2024-10-11
[3]
一种过渡金属碳化物高熵陶瓷颗粒及其制备方法
[P].
赵庆龙
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赵庆龙
;
梅杰
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梅杰
;
姜启川
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姜启川
;
邱丰
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邱丰
.
中国专利
:CN110484796A
,2019-11-22
[4]
一种单相结构多组元高熵过渡金属碳化物陶瓷的制备方法
[P].
管诗雪
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管诗雪
;
彭放
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彭放
;
梁浩
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梁浩
.
中国专利
:CN111039677A
,2020-04-21
[5]
一种单相高熵碳化物陶瓷粉体及其制备方法和应用
[P].
赵幸
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机构:
西安科技大学
西安科技大学
赵幸
;
白钰航
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机构:
西安科技大学
西安科技大学
白钰航
;
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机构:
吴宇昊
;
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机构:
刘佳
;
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赵莹莹
;
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罗欢
;
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机构:
杜慧玲
;
宋岩
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机构:
西安科技大学
西安科技大学
宋岩
.
中国专利
:CN117776725A
,2024-03-29
[6]
一种单相高熵碳化物陶瓷粉体及其制备方法和应用
[P].
赵幸
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机构:
西安科技大学
西安科技大学
赵幸
;
白钰航
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机构:
西安科技大学
西安科技大学
白钰航
;
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机构:
吴宇昊
;
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机构:
刘佳
;
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机构:
赵莹莹
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机构:
罗欢
;
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机构:
杜慧玲
;
宋岩
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机构:
西安科技大学
西安科技大学
宋岩
.
中国专利
:CN117776725B
,2025-12-05
[7]
一种高熵金属碳化物陶瓷粉体的制备方法
[P].
杨振文
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杨振文
;
牛士玉
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牛士玉
;
孙孔波
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孙孔波
;
木瑞洁
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木瑞洁
;
王颖
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王颖
.
中国专利
:CN114349005A
,2022-04-15
[8]
一种五元高熵碳化物陶瓷及其制备方法
[P].
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机构:
李明亮
;
彭文琦
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机构:
郑州大学
郑州大学
彭文琦
;
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机构:
李威
;
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机构:
王海龙
;
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机构:
谢薇
;
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机构:
张珂皓
;
宋静文
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机构:
郑州大学
郑州大学
宋静文
;
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机构:
张凯
.
中国专利
:CN120965331A
,2025-11-18
[9]
一种缺碳型高熵过渡金属碳化物陶瓷材料及其制备方法
[P].
刘吉轩
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刘吉轩
;
韦小凤
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韦小凤
;
张国军
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张国军
;
李飞
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李飞
.
中国专利
:CN111533559A
,2020-08-14
[10]
一种导电高熵过渡金属碳化物陶瓷及其制备方法和应用
[P].
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机构:
刘泽华
;
何怡清
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机构:
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
何怡清
;
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机构:
黄政仁
;
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机构:
吴海波
;
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机构:
吴西士
;
刘欢
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机构:
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
刘欢
.
中国专利
:CN117865676A
,2024-04-12
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