氮化物类半导体发光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080001806.2

申请日：

2010-06-14

公开(公告)号：

CN102099935A

公开(公告)日：

2011-06-15

发明(设计)人：

京野孝史盐谷阳平善积祐介秋田胜史住友隆道上野昌纪

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3332

IPC分类号：

H01L3306 H01L3316

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

关兆辉;穆德骏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-26	授权	授权
2011-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101096113332 IPC(主分类):H01L 33/32 专利申请号:2010800018062 申请日:20100614
2016-08-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101672720324 IPC(主分类):H01L 33/32 专利号:ZL2010800018062 申请日:20100614 授权公告日:20130626 终止日期:20150614
2011-06-15	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物类半导体发光元件 [P].

住友隆道 ;

上野昌纪 ;

京野孝史 ;

盐谷阳平 ;

善积祐介 .

中国专利 :CN101958386A ,2011-01-26

[2]

氮化物类半导体发光元件 [P].

山田笃志 ;

井上彰 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN103180974A ,2013-06-26

[3]

氮化物类半导体发光元件 [P].

井上彰 ;

藤金正树 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN103081136A ,2013-05-01

[4]

氮化物半导体发光元件、外延基板及氮化物半导体发光元件的制作方法 [P].

京野孝史 ;

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

秋田胜史 ;

上野昌纪 ;

住友隆道 .

中国专利 :CN102292884A ,2011-12-21

[5]

氮化物半导体发光元件 [P].

京野孝史 ;

平山秀树 .

中国专利 :CN101009352A ,2007-08-01

[6]

氮化物类半导体光元件、用于氮化物类半导体光元件的外延晶片及制造半导体发光元件的方法 [P].

上野昌纪 ;

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

秋田胜史 ;

善积祐介 ;

住友隆道 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN101874309B ,2010-10-27

[7]

氮化物类半导体元件 [P].

大塚康二 ;

杢哲次 ;

佐藤纯治 ;

多田善纪 ;

吉田隆 .

中国专利 :CN1842917A ,2006-10-04

[8]

氮化物类半导体元件 [P].

狩野隆司 ;

太田洁 .

中国专利 :CN1893110A ,2007-01-10

[9]

氮化物类半导体发光元件、氮化物类半导体激光元件、氮化物类半导体发光二极管及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法 [P].

广山良治 ;

三宅泰人 ;

久纳康光 ;

别所靖之 ;

畑雅幸 .

中国专利 :CN101809833A ,2010-08-18

[10]

氮化物类半导体发光元件及其制造方法 [P].

横川俊哉 ;

加藤亮 .

中国专利 :CN102084504B ,2011-06-01

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