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声学传感器及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910010412.6
申请日
:
2019-01-04
公开(公告)号
:
CN109688494B
公开(公告)日
:
2019-04-26
发明(设计)人
:
孙娜
许相园
鲍明
卢明辉
申请人
:
申请人地址
:
210000 江苏省南京市栖霞区仙林街道仙林大学城元化路8号1幢创新创业大厦618室
IPC主分类号
:
H04R108
IPC分类号
:
H04R3100
代理机构
:
北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371
代理人
:
王文红
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-04-26
公开
公开
2019-05-21
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H04R 1/08 申请日:20190104
2021-07-02
授权
授权
共 50 条
[1]
微型声学传感器及其制造方法
[P].
宋柏勋
论文数:
0
引用数:
0
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0
宋柏勋
.
中国专利
:CN101005718A
,2007-07-25
[2]
声学矢量传感器及其制造方法
[P].
孙娜
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孙娜
;
许相园
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许相园
;
鲍明
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鲍明
;
卢明辉
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卢明辉
.
中国专利
:CN109752078A
,2019-05-14
[3]
压电声学传感器及其制造方法
[P].
冯志宏
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冯志宏
;
姚丹阳
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姚丹阳
;
徐景辉
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徐景辉
.
中国专利
:CN113573218A
,2021-10-29
[4]
声学传感器及其制备方法
[P].
蒲雄
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机构:
北京纳米能源与系统研究所
北京纳米能源与系统研究所
蒲雄
;
贾璐瑶
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机构:
北京纳米能源与系统研究所
北京纳米能源与系统研究所
贾璐瑶
;
王中林
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机构:
北京纳米能源与系统研究所
北京纳米能源与系统研究所
王中林
.
中国专利
:CN120213201A
,2025-06-27
[5]
声学传感器
[P].
端木鲁玉
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端木鲁玉
;
王德信
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王德信
;
方华斌
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方华斌
;
潘新超
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潘新超
.
中国专利
:CN210927973U
,2020-07-03
[6]
声学传感器
[P].
贾丝廷·罗克·巴克兰
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贾丝廷·罗克·巴克兰
;
安德鲁·罗伯特·坎贝尔
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安德鲁·罗伯特·坎贝尔
.
中国专利
:CN104160270B
,2014-11-19
[7]
声学传感器
[P].
斯特凡·克施勒斯尔
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斯特凡·克施勒斯尔
;
卡斯滕·狄克曼
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卡斯滕·狄克曼
;
史蒂文·罗斯巴赫
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史蒂文·罗斯巴赫
;
托尔斯滕·韦霍夫
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托尔斯滕·韦霍夫
;
尼纳·里格尔
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尼纳·里格尔
;
诺伯特·哈斯
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诺伯特·哈斯
.
中国专利
:CN107389178A
,2017-11-24
[8]
声学传感器
[P].
端木鲁玉
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0
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端木鲁玉
;
王德信
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王德信
;
方华斌
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方华斌
;
潘新超
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潘新超
.
中国专利
:CN210927974U
,2020-07-03
[9]
声学传感器
[P].
安德鲁·贝克-坎贝尔
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安德鲁·贝克-坎贝尔
;
贾丝廷·巴克兰
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贾丝廷·巴克兰
;
哈里·布利万特
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哈里·布利万特
.
中国专利
:CN107110822A
,2017-08-29
[10]
定向声学传感器
[P].
金载兴
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金载兴
;
姜诚赞
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
姜诚赞
;
洪赫基
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
洪赫基
;
姜现旭
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
姜现旭
;
尹容燮
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
尹容燮
;
李忠镐
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
李忠镐
.
韩国专利
:CN113115167B
,2024-09-20
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