基于二噻吩并[3,2-b:2′,3′-d]吡咯的免掺杂空穴传输材料及合成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910040761.2

申请日：

2019-01-16

公开(公告)号：

CN109705137B

公开(公告)日：

2019-05-03

发明(设计)人：

唐卫华董子豪周杰尹新星王宏涛曹金如杨琳强

申请人：

申请人地址：

210094 江苏省南京市玄武区孝陵卫200号

IPC主分类号：

C07D49514

IPC分类号：

H01L5142 H01L5148 H01L5146

代理机构：

南京理工大学专利中心 32203

代理人：

邹伟红

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-03	公开	公开
2021-05-04	授权	授权
2019-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C07D 495/14 申请日:20190116

共 50 条

[1]

基于噻吩并[3,2-b]吲哚的空穴传输材料及其合成方法 [P].

周杰 ;

崔雯暄 ;

王鑫磊 .

中国专利 :CN119528933A ,2025-02-28

[2]

一种基于四噻吩并吡咯的免掺杂空穴传输材料及其合成方法和应用 [P].

蔡鹏 ;

张钰 ;

曹绍菊 ;

孔鹏华 ;

杨红佳 ;

韦静兰 .

中国专利 :CN111171046A ,2020-05-19

[3]

基于茚并[1,2-b]咔唑的免掺杂空穴传输材料及其合成方法和应用 [P].

王志辉 ;

陈强 ;

颜彪 ;

高梦 ;

冯良东 ;

蔡鹏 ;

汪玉祥 ;

钱国庆 .

中国专利 :CN111187280B ,2020-05-22

[4]

一种基于苯并二噻吩二酮的非掺杂空穴传输材料及其合成方法和应用 [P].

李在房 ;

尹新星 ;

胡林 ;

宋嘉兴 ;

苏振 ;

金英芝 .

中国专利 :CN113173930B ,2021-07-27

[5]

基于芴乙烯桥联芳香环核的免掺杂空穴传输材料的合成方法及其在钙钛矿电池中的应用 [P].

车广波 ;

朱恩伟 ;

贾宇 ;

张云 ;

姜威 ;

刘春波 ;

苏斌 .

中国专利 :CN110156616B ,2019-08-23

[6]

类苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩的空穴传输材料及其制备方法和应用 [P].

孟鸿 ;

王江峰 ;

贺耀武 .

中国专利 :CN113024579A ,2021-06-25

[7]

一种含吩嗪并二噻吩类免掺杂空穴传输材料及其制备方法和应用 [P].

陈瑾 ;

许春晨 ;

刘依梦 ;

崔景源 ;

丁师杰 ;

陈静 ;

蒋金龙 ;

王志辉 .

中国专利 :CN114315856A ,2022-04-12

[8]

一种以多氟取代吡咯-[3,2-b]吡咯为核心的空穴传输材料的合成方法及其应用 [P].

陈承 ;

王碧怡 ;

程明 ;

王豪鑫 .

中国专利 :CN114276353A ,2022-04-05

[9]

一种二噻吩并吡咯类聚合物空穴传输材料及其制备方法和应用 [P].

殷成蓉 ;

潘正武 ;

邹勤 ;

赵修杰 ;

李仁志 ;

王建浦 ;

黄维 .

中国专利 :CN118063656A ,2024-05-24

[10]

一种基于氮吡咯噻吩的免掺杂空穴传输材料的制备及应用 [P].

梁茂 ;

吴冰雪 .

中国专利 :CN114249752A ,2022-03-29

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