内衬结构、反应腔室和半导体加工设备

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201921449713.0

申请日：

2019-09-03

公开(公告)号：

CN210223967U

公开(公告)日：

2020-03-31

发明(设计)人：

茅兴飞王伟楼丰瑞石锗元廉串海吕增富

申请人：

申请人地址：

100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

彭瑞欣;张天舒

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-31	授权	授权

共 50 条

[1]

内衬结构、反应腔室和半导体加工设备 [P].

茅兴飞 ;

王伟 ;

楼丰瑞 ;

石锗元 ;

廉串海 ;

吕增富 .

中国专利 :CN110473814B ,2025-02-25

[2]

内衬结构、反应腔室和半导体加工设备 [P].

茅兴飞 ;

王伟 ;

楼丰瑞 ;

石锗元 ;

廉串海 ;

吕增富 .

中国专利 :CN110473814A ,2019-11-19

[3]

内衬、反应腔室和半导体加工设备 [P].

王志伟 .

中国专利 :CN112017933A ,2020-12-01

[4]

内衬、反应腔室和半导体加工设备 [P].

王志伟 .

中国专利 :CN112017933B ,2024-03-26

[5]

内衬、反应腔室及半导体加工设备 [P].

罗大龙 .

中国专利 :CN107437490A ,2017-12-05

[6]

反应腔室及半导体加工设备 [P].

侯珏 .

中国专利 :CN209071271U ,2019-07-05

[7]

腔室内衬、反应腔室及半导体加工设备 [P].

高志民 .

中国专利 :CN110534391B ,2019-12-03

[8]

内衬组件、反应腔室及半导体加工设备 [P].

侯珏 ;

兰玥 ;

佘清 ;

张璐 ;

刘建生 .

中国专利 :CN109273342A ,2019-01-25

[9]

内衬组件、反应腔室及半导体加工设备 [P].

侯珏 ;

兰玥 ;

佘清 ;

张璐 ;

刘建生 .

中国专利 :CN209133451U ,2019-07-19

[10]

内衬组件、反应腔室及半导体加工设备 [P].

侯珏 ;

兰玥 ;

佘清 ;

张璐 ;

刘建生 .

中国专利 :CN109273342B ,2024-07-23

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