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背照式图像传感器的制造方法
被引:0
申请号
:
CN202210092960.X
申请日
:
2022-01-26
公开(公告)号
:
CN114429962A
公开(公告)日
:
2022-05-03
发明(设计)人
:
徐嘉良
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号
IPC主分类号
:
H01L27146
IPC分类号
:
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
刘昌荣
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-05-20
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20220126
2022-05-03
公开
公开
共 50 条
[1]
背照式图像传感器的制造方法
[P].
周年云
论文数:
0
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周年云
;
刘俊文
论文数:
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刘俊文
.
中国专利
:CN112259566A
,2021-01-22
[2]
背照式图像传感器的制造方法及背照式图像传感器
[P].
高俊九
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高俊九
;
李志伟
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李志伟
;
黄仁德
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黄仁德
.
中国专利
:CN107910297A
,2018-04-13
[3]
背照式图像传感器的制造方法和背照式图像传感器
[P].
金文祥
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机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
金文祥
;
陈义元
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机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
陈义元
;
吴凯
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机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
吴凯
;
郇小伟
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机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
郇小伟
.
中国专利
:CN121099733A
,2025-12-09
[4]
背照式图像传感器及其制造方法
[P].
大石周
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大石周
;
黄晓橹
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黄晓橹
.
中国专利
:CN108288628A
,2018-07-17
[5]
背照式图像传感器及其制造方法
[P].
金文焕
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金文焕
.
中国专利
:CN101771059A
,2010-07-07
[6]
背照式图像传感器基板及背照式图像传感器的制造方法
[P].
谢岩
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机构:
武汉新芯集成电路股份有限公司
武汉新芯集成电路股份有限公司
谢岩
;
胡胜
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机构:
武汉新芯集成电路股份有限公司
武汉新芯集成电路股份有限公司
胡胜
;
邹浩
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机构:
武汉新芯集成电路股份有限公司
武汉新芯集成电路股份有限公司
邹浩
;
刘选军
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机构:
武汉新芯集成电路股份有限公司
武汉新芯集成电路股份有限公司
刘选军
;
刘天建
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机构:
武汉新芯集成电路股份有限公司
武汉新芯集成电路股份有限公司
刘天建
;
叶国梁
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机构:
武汉新芯集成电路股份有限公司
武汉新芯集成电路股份有限公司
叶国梁
.
中国专利
:CN112366211B
,2024-11-29
[7]
背照式图像传感器基板及背照式图像传感器的制造方法
[P].
谢岩
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谢岩
;
胡胜
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胡胜
;
邹浩
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邹浩
;
刘选军
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刘选军
;
刘天建
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刘天建
;
叶国梁
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叶国梁
.
中国专利
:CN112366211A
,2021-02-12
[8]
背照式图像传感器的制造方法
[P].
杜保田
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
杜保田
;
赵志
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
赵志
;
杨鑫
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华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
杨鑫
;
任婷婷
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华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
任婷婷
;
姚道州
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
姚道州
;
郭海亮
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
郭海亮
;
张称
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
张称
;
侯冰霞
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
侯冰霞
;
汪健
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
汪健
;
惠科石
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华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
惠科石
;
王玉新
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
王玉新
.
中国专利
:CN119451259A
,2025-02-14
[9]
背照式图像传感器的制造方法
[P].
姜怡雯
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姜怡雯
;
李志伟
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李志伟
;
黄仁德
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黄仁德
.
中国专利
:CN108281448A
,2018-07-13
[10]
背照式图像传感器的制造方法
[P].
张婷
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张婷
;
彭翔
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彭翔
;
姬峰
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姬峰
.
中国专利
:CN113948540A
,2022-01-18
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