一种VDMOS晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210545681.0

申请日：

2012-12-17

公开(公告)号：

CN103035732A

公开(公告)日：

2013-04-10

发明(设计)人：

郑学仁

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号华南理工大学

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2951 H01L21336 H01L21285

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

蔡茂略

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-10-28	授权	授权
2013-04-10	公开	公开
2022-12-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20121217 授权公告日:20151028 终止日期:20211217
2013-05-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101452525077 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012105456810 申请日:20121217

共 50 条

[1]

平面型VDMOS晶体管及其制备方法 [P].

唐红祥 ;

张新 ;

彭强 .

中国专利 :CN103681843B ,2014-03-26

[2]

VDMOS晶体管及制作VDMOS晶体管的方法 [P].

魏峰 .

中国专利 :CN109326642A ,2019-02-12

[3]

一种VDMOS晶体管 [P].

王颢 .

中国专利 :CN102456738A ,2012-05-16

[4]

超高压VDMOS晶体管及其生产方法 [P].

谭在超 ;

罗寅 ;

丁国华 ;

张海滨 ;

薛金鑫 .

中国专利 :CN107086245A ,2017-08-22

[5]

双极晶体管及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109767982A ,2019-05-17

[6]

功率晶体管及其制备方法 [P].

李学会 .

中国专利 :CN105185829A ,2015-12-23

[7]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

肖德元 ;

季明华 .

中国专利 :CN101930920A ,2010-12-29

[8]

一种晶体管及其制备方法、芯片 [P].

唐先胜 ;

王兆伟 ;

李春 ;

韩丽丽 ;

宫卫华 ;

李仕龙 ;

王舒蒙 .

中国专利 :CN119997597A ,2025-05-13

[9]

一种MOS晶体管及其制备方法 [P].

余快 ;

杜天伦 .

中国专利 :CN118888597A ,2024-11-01

[10]

一种MOS晶体管及其制备方法 [P].

余快 ;

杜天伦 .

中国专利 :CN118888597B ,2025-03-11

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