MEMS加速度传感器的硅盖帽结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420353178.X

申请日：

2014-06-27

公开(公告)号：

CN204008681U

公开(公告)日：

2014-12-10

发明(设计)人：

戴忠伟

申请人：

申请人地址：

200030 上海市徐汇区乐山路33号1号楼305室

IPC主分类号：

G01P100

IPC分类号：

G01P1500 B81B700

代理机构：

上海弼兴律师事务所 31283

代理人：

胡美强;杨东明

法律状态：

避免重复授权放弃专利权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-19	避免重复授权放弃专利权	避免重复授予专利权 IPC(主分类):G01P 1/00 申请日:20140627 授权公告日:20141210 放弃生效日:20180608
2014-12-10	授权	授权
2016-08-31	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101738144975 IPC(主分类):G01P 1/00 专利号:ZL201420353178X 变更事项:专利权人变更前:广芯电子技术(上海)有限公司变更后:广芯电子技术(上海)股份有限公司变更事项:地址变更前:200030 上海市徐汇区乐山路33号1号楼305室变更后:200030 上海市徐汇区乐山路33号1号楼305室

共 50 条

[1]

MEMS加速度传感器的硅盖帽结构 [P].

戴忠伟 .

中国专利 :CN105277733B ,2016-01-27

[2]

MEMS加速度传感器 [P].

陈学峰 ;

钟利强 ;

杨小平 .

中国专利 :CN203385753U ,2014-01-08

[3]

MEMS加速度传感器 [P].

孙志远 .

中国专利 :CN206975061U ,2018-02-06

[4]

MEMS加速度传感器的隔离硅墙 [P].

戴忠伟 .

中国专利 :CN204008695U ,2014-12-10

[5]

MEMS加速度传感器 [P].

亚历桑德鲁·罗基 ;

阿道夫·詹巴斯蒂亚尼 .

中国专利 :CN103185809A ,2013-07-03

[6]

MEMS加速度传感器 [P].

杨斌 .

中国专利 :CN101871952A ,2010-10-27

[7]

MEMS加速度传感器的隔离硅墙 [P].

戴忠伟 .

中国专利 :CN105242068B ,2016-01-13

[8]

加速度传感器结构与加速度传感器 [P].

李诺伦 ;

庄瑞芬 ;

杨进 ;

朱启发 .

中国专利 :CN222105499U ,2024-12-03

[9]

SAW-MEMS加速度传感器 [P].

杨增涛 ;

卜继军 ;

马晋毅 ;

肖凯 ;

陈小兵 ;

董加和 ;

杨正兵 ;

冷俊林 ;

赵建华 ;

王勇 ;

江黎 .

中国专利 :CN202093043U ,2011-12-28

[10]

集成MEMS加速度传感器 [P].

A·托齐奥 ;

F·里奇尼 ;

C·瓦尔扎希纳 ;

G·兰格弗尔德 .

中国专利 :CN207601108U ,2018-07-10

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